DIVISOR DE VOLTAJE Y MOSFET.pdf

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DIVISO R DE VOL VOLTTAJE Como se puede ver en la entrada del circuito, ahora hay dos resistencia, las cuales serán de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto es para no perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de ampl am plifi ifica caci ción ón,, en entr tree la lass do doss fo form rman an un di divi viso sorr de te tens nsió ión, n, po porr lo cu cual al la te tens nsió ión n de la co comp mpue uert rtaa VG te tend ndrá rá un va valo lorr po posi siti tivvo.

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DIVISO R DE VOL VOLTTAJE

VG = R2 VDD/(R1 + R2)

VGS = VG – IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

JFET

(VGSQ  = 0 V)

VGSQ  = 0 v

IDQ = Iss

 JFET (R D = 0 Ω) VGSQ  = -IDRS VD = VDD VS = IDRS

VDS =VDD - IDRS

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR. (MOSFET) existen dos tipos de transistores MOSFET.

MOSFET de acumulación ,enriquecimiento o incremental. MOSFET de deplexión, empobrecimiento o decremental.

CONTACTOS METALICOS

MATERIAL AISLANTE

SIMBOLOGIA MOSFET DE ACUMULACION, ENREQUESIMIENTO O INCREMENTAL

POLARIZACION DEL MOSFET DE ACUMULACION O ENREQUECIMIENTO

FUNCIONAMIENTO MAS HABITUAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE V GS =0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE V GS >0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE V GS >o MODULACION DE ANCHURA DEL CANAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO CON VGS PODEMOS MODULAR LA ANCHURA DEL CANAL CON UNA TENSION (+) PERO DEBE SUPERAR UN DETERMINADO NIVEL DE TENSION VT (TENSION DE THRESHOLD) VALOR MINIMO DE TENSION PARA QUE EL CANAL EXISTEN PERMITA LA CIRCULACION DE ID

La tensión V GS modula la anchura del canal. El dispositivo se comporta como una resistencia controlada por voltaje.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE V DS VDS =VGS - VGD  AL SER VDS > 0 VGS > VGD

Característica ID-V DS para un valor de V GS constante

CURVA CARACTERISTICA DEL MOSFET Limite de la región

Zona de corte o de no conducción ID= 0 y para valores de V GS≤ V T

ZONA OHMICA O DE NO SATURACION Zona óhmica o de no saturación

VDS ≤ VGS - VT Valores de VDS inferiores al de saturación

Para V DS  < V DSsat el MOSFET se comporta como una resistencia variable con V GS .

ZONA DE SATURACIÓN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Se de para valores V DS  > V DSat siendo VDSat   = V GS  - V T  Es una fuente de corriente controlada por el voltaje V GS  I D no crece hasta que V GS  > V T 

ZONA DE SATURACIÓN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Para valores V GS  > V T  la corriente de drenaje está relacionada a V GS  mediante la siguiente relación no lineal:

ZONA DE RUPTURA

EJEMPLO PARA CURVA DE TRANSFERENCIA

V GS(TH) = V T 

CARACTERISTICAS DE LAS ZONAS DE TRABAJO Zona de corte o de no conducción ID= 0 y para valores de V GS≤ V T Zona óhmica VDS ≤ VGS - VT Límite entre la zona óhmica y saturación V DS = V GS - V T Zona saturación

VDS ≥ VGS - VT

TRANSISTORES MOSFET DE DEFLEXION, EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAL

Estructura básica del MOSFET de deplexión canal n.

SIMBOLO

CIRCUITO DE POLARIZACION

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

para valores V GS > 0 el MOSFET de deplexión tiene un comportamiento de acumulación.  A valores V GS < 0 disminuye la anchura del canal. En definitiva,  volvemos a tener de nuevo un efecto de modulación de la anchura de un canal en función de una tensión aplicada V GS .

CURVAS CARACTERÍSTICAS

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL La similitud que hay entre las curvas de transferencia de los JFET y el MOSFET decremental permite un análisis similar en el dominio de DC. El MOSFET de tipo decremental permite valores positivos de V GS y niveles de ID que excedan IDSS. Para las configuración hechas para los JFET si se reemplaza por un MOSFET DECREMENTAL, EMPOBRECIMIENTO O DEFLEXION el análisis es el mismo. Lo que falta definir la forma como graficar la ecuación de Shockley para  valores positivos de V GS y valores mayor de IDSS.

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