Historia, Aplicaciones y Polarizacion(Mosfet)

Historia del MOSFET Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico  el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la super!cie del semiconductor no se pudieron fabricar "asta d#cadas más tarde$ En concreto, para que este tipo de dispositi%os pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado  el aislante debe ser perfectamente lisa  lo más libre de defectos posible$ Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnolog&a del silicio$

Aplicaciones •

' (ransistores )*+FE( como interruptores de potencia

+on utiliados masi%amente como conmutadores gracias a sus caracter&sticas de tama-o, facilidad de uso  ba.o consumo de energ&a, lo cual los con%ierte en el ladrillo constructor de los circuitos integrados digitales de "o en d&a, estando presentes en prácticamente todos los dispositi%os electrónicos$ /ic"as caracter&sticas tambi#n los "acen idóneos para aplicaciones de potencia, en que se requiere gran capacidad de corriente  conmutaciones %eloces$

•

•

•

•

' (ransistores )*+FE( como in%ersor El funcionamiento como in%ersor del transistor )*+FE(  se basa en sus caracter&sticas en conmutación pasando de la región de corte a la región ó"mica$ El transistor )*+FE( en conmutación, basado en un interruptor con resistencia de /renador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutación de corte a saturación  %ice%ersa, implica unos tiempos de retardo de gran importancia en estos sistemas$ 2uando V in4 está en ni%el ba.o, el )*+FE( está en corte  V out4 es igual a la tensión de alimentación$ 2uando V in4 está en ni%el alto, el )*+FE( está en conducción  V out4 cae a un ni%el ba.o$ 5ara que este circuito funcione la corriente de saturación 6/ sat4 tiene que ser menor que 6/ on4$ +e denomina in%ersor, porque la tensión de salida, es de ni%el opuesto a la tensión de entrada$ Lo 7nico que se requiere en los circuitos de conmutación, es que las tensiones de entrada  de salida se puedan reconocer fácilmente, a sea en ni%el alto o ba.o$

•

'(ransistores )*+FE( doble puerta4 como meclador de frecuencias

5ara transistores de efecto campo la caracter&stica no lineal se apro8ima bien por una le cuadrática, por lo que produce ni%eles de intermodulación  de armónicos ba.os$ El margen de frecuencias %a de algunos ) a 10:, pero con la constante me.ora de estos transistores este margen se e8tiende rápidamente$ 5resentan ganancia de con%ersión menor que los bipolares4, me.ores prestaciones de ruido e intermodulación  necesitan menos potencia del *L$

•

'(ransistores )*+FE( como resistencia %ariable

El )*+FE( equi%ale a una resistencia %ariable conectada entre el /renador  +urtidor$ El %alor de esta resistencia %ar&a dependiendo del %alor que tenga la tensión entre la 5uerta  el +urtidor V:+4$

•

•

•

'(ransistores )*+FE( en circuitos para led;s de potencia Los reguladores de corriente se pueden "acer de diferentes maneras con transistores, con mosfet de potencia o con reguladores lineales de tensión conectados en modo particular$  (odos usan el mismo principio de funcionamiento una resistencia de ba.o %alor en serie con el led generalmente llamada s"unt4 que
POLARIZACION DE UN MOSFET +e polarian de manera diferente$ Este tipo de transistor se polaria de manera diferente al transistor bipolar$ El terminal de drena.e se polaria positi%amente con respecto al terminal de fuente Vdd4  la compuerta o gate se polaria negati%amente con respecto a la fuente >Vgg4$  ? maor %olta.e >Vgg, más angosto es el canal  más dif&cil para la corriente pasar del terminal drenador drain4 al terminal fuente o source$ La tensión >Vgg para la que el canal queda cerrado se llama @punc">oA@  es diferente para cada FE( 