ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Preparatorio #10 Tema: Transistor de Efecto de Campo Estudiantes: Bonilla Lema Cristian A., Uribe Herrera Jorge Alexander Paralelo: GR6 Fecha: 25/07/2017
Transistor de Efecto de Campo Bonilla Lema Cristian A. Uribe Herrera Jorge Alexander
[email protected] [email protected] Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, Departamento Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información, Escuela Politécnica Nacional Quito, Ecuador
Objetivos:
por voltaje
Analizar e implementar un circuito de polarización para JFET. Analizar e implementar un amplificador usando JFET.
PREPARATORIO I.
CONSULTAR LAS PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Y PRESENTAR UN CUADRO CON LAS SEMEJANZAS Y DIFERENCIAS ENTRE ESTE TIPO DE TRANSISTORES Y LOS DE JUNTURA BIPOLAR. Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden variar desde uno hasta varios cientos de mega ohmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo ohmios. Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores. Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET. En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET). Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET. [1]
Semejanza
Diferencia
Alta impedancia de entrada
Los FETs son controlados
Sirven para amplificar voltaje.
Los FETs térmicamente estables.
son más
Presentan respuestas similares a las entradas que se introduzcan.
Los TBJs son bipolares y los FETs son unipolares
II. REVISAR LAS HOJAS DE DATOS DE AL MENOS 4 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Y PRESENTAR UN CUADRO CON LOS VALORES DE LOS PARÁMETROS MÁS IMPORTANTES
Tabla de valores característicos de los FETs Numeración
VGS (off) máx.
VGS(típico)
IDSS máx.
2N5457
-5[v]
-2.5[v]
5[mA]
2N5458
-8[v]
-3.5[v]
9[mA]
2N5484
-3[v]
-1.5[V]
5[mA]
2N5485
-4[v]
-2.5[v]
10[mA]
2N3819
-8[v]
-----
20[mA]
III. RESOLVER LA POLARIZACIÓN DEL SIGUIENTE CIRCUITO:
= 0 = 25 ∗ 22 = 0.166[] = 2 = 22 + 3.3 = ∗ 4 2.7 ∗ − = 10 ∗ 10 ∗ (1 + 3 ) = 0.849[] = 2.13[] = 25 ∗ 680 = 24.42[] = ∗ 2700 = 2.29 [] = = 24.26[] IV. RESOLVER EL SIGUIENTE CIRCUITO EN DC Y AC, DIBUJAR LOS VOLTAJES DE SALIDA:
= 0 = 30 ∗ 68 1.3[] = 6 = 68 + 1.5 = ∗ 8 1 ∗ − = 2 ∗ 10 ∗ (1 + 8 ) = 1.77[] = 0.47[] = 30 ∗ 1 = 28.22 [] = ∗ 1 = 1.77[] = 0.471 = ∗ 1000||1.8 = 4.7
VI. PRESENTAR LOS VOLTAJES DE POLARIZACIÓN Y LAS GRÁFICAS EN PAPEL MILIMETRADO. Anexo 1.
REFERENCIAS [1] Transistores de Efecto de Campo [Online]. Available: https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/conten t/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
V. REALIZAR LAS SIMULACIONES DE LOS CIRCUITOS PRESENTADOS.