Descripción: Informe de electrónica de potencia. rectificadores controlados.
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PREVIO N°8
UNMSM
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
U.N.M.S.M FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES APELLIDOS Y NOMBRES NOMBRES
MATRICULA
ABREGO CACERES MATIAS DENNYS
16190174
CURSO
TEMA
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
RECTIFICADOR CONTRLADO DE SILICIO (SCR)
INFORME
NOTA
FECHAS
REALIZACIÓN
ENTREGA
03 DE JULIO DEL 2017
03 DE JULIO DEL 2017
PREVIO NUMERO
08 GRUPO
2 – 12pm LUNES DE 10 am – 12pm
PROFESOR
ING. LUIS PARETTO QUISPE
PREVIO N°8
UNMSM
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
RECTIFICADOR CONTRLADO DE SILICIO (SCR)
I. OBJETIVOS
.Verificar las condiciones de un SCR .Comprobar las características de funcionamiento de un SCR
II. CUESTIONARIO PREVIO: 1. De los manuales, obtener los datos de funcionamiento de un SCR C106D.
Características: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO DE COMPUERTA SENSIBLE
.Corriente total RMS máx.: 4 A (Con ángulo de conducción de 180°) .Corriente pico no repetitivo máx.: 20 A (25°C, onda seno, 1/2 ciclo, 60 Hz) .Voltaje inverso pico repetitivo máx.: 400 V
PREVIO N°8
UNMSM
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
.Sensibilidad de compuerta: 0.2 mA .Corriente pico de compuerta máx.: 200 mA .Encapsulado: TO-255AA (TO-126) 2. En el circuito experimental, obtener los valores teóricos esperados para P1 y P2 (considerar RL para P1).
Datos: . Vcc = 24 V .R1 = 100 K .R2 = 10 K
Ω
Ω
.IAK = 2 A . VAK máx = 1 V
Realizamos los cálculos con las siguientes fórmulas:
Rth = (R1 x R2) / (R1 + R2) Rth = (100000 x 10000) / (110000)
