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Electrónica Analógica

UNIDAD II

TR ANSISTOR ES

Los transistores presentan una gran importancia en la electrónica de potencia, sobre todo para mando y regulación.

1.

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR En los transistores bipolares, Fig. 1, existen dos tipos de portadores de carga, los electrones y los huecos. Distinguimos dos tipos de transistores, los pnp y los npn, según cual sea el orden de sucesión de las diferentes zonas.

Fig. 1 Estructura, circuitos circuitos equivalentes con diodos y símbolos de transistores bipolares. bipolares. a) Transistor pnp. b) Transistor npn.

Los transistores npn son los más empleados. En un transistor existen dos uniones pn.

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La zona central del transistor, la base, tiene un espesor de algunas micras, hecho fundamental para el funcionamiento del transistor y motivo por el cual no puede construirse un transistor uniendo simplemente dos diodos.

1.1.

FUNCIONAMIENTO Y TRANSISTOR BIPOLAR

CURVAS

CARACTERÍSTICAS

DEL

La Fig. 2 a nos muestra cómo deben aplicarse teóricamente las tensiones necesarias para el funcionamiento del transistor. No obstante, en la práctica se emplea el circuito indicado en la Fig. 2 b, aunque esto no modifica el funcionamiento del transistor. La Fig. 2 nos muestra además que la unión pn entre base y emisor se polariza en sentido directo y la unión pn entre base y colector, en sentido inverso. La tensión entre colector y base UBE debe ser considerablemente mayor que la tensión entre base y emisor UBE

Fig. 2 Tensiones en un transistor















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Vamos a explicar el funcionamiento del transistor con ayuda del experimento Nº 1. El experimento nos muestra que: Cuando UBE aumenta por encima de 0,5V circulan una corriente de base y una de colector. La intensidad de la corriente de colector depende de U BE y de IB, aumentando cuando éstas aumentan. La intensidad de colector I C, es mucho mayor que la de base IB. Explicaremos a continuación los resultados del experimento. El circuito base - emisor de un transistor presenta como ya sabemos una unión pn. Si la tensión aplicada en sentido directo U BE es mayor que la tensión de difusión circulará una corriente de electrones del emisor a la base del transistor npn. El colector del transistor, cargado positivamente a causa de la tensión UCE, atraerá a la mayor parte de los electrones que se encuentren en la delgado zona de la base arrastrándolos a través de la unión pn entre base colector. Por consiguiente, circulará una corriente de colector.
















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La Fig. 3 nos aclara estos hechos.

Fig..3 Corriente en el transistor NPN

Fig. 4 Características de entrada del transistor BD 130

La relación existente entre UBE e IB , que obtuvimos en el experimento 1 se suele representar gráficamente dando lugar a la llamada característica de entrada del transistor.















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Fig. 5 Características de mando por corriente en el transistor BD 130

La Fig. 5 nos indica gráficamente la relación existente entre I C e I B Esta curva se llama curva de mando por corriente. El coeficiente entre la intensidad de la corriente de colector y la intensidad de base se denomina factor de amplificación de intensidad (ganancia estática de intensidad) B. B =

IC ------

IB

Puede calcularse fácilmente a partir de la curva característica de mando por corriente. De los resultados del experimento y de las curvas
















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La intensidad de colector puede gobernarse mediante U BE y mediante IB . Sin embargo, como la corriente de base sólo empieza a circular cuando existe la correspondiente tensión base-emisor UBE , deberá aportarse una potencia de mando UBE . IB para gobernar la corriente de colector. Pero, como esta potencia es muy pequeña, podrá despreciarse en la mayoría de los casos.

Fig. 6 Características de de salida del transistor BD 130

Fig. 7 Circuito para obtener la característica característica de salida

Para el diseño de un circuito es de suma importancia conocer las características de salida de un transistor (figuras 4, 5 y 6). Estas curvas

















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Hasta ahora sólo nos hemos ocupado del comportamiento y de las características de un transistor npn. Las consideraciones anteriores son también aplicables a los transistores pnp, sin más que considerar que ahora las corrientes están constituidas por huecos. Para simplificar el cálculo de los circuitos de transistores se determinó arbitrariamente el sentido de las corrientes de modo que todas circulen hacia el interior del transistor. Las corrientes que circulen en sentido contrario al definido se caracterizarán con un signo negativo delante de su símbolo o de su valor numérico.

Fig. 8 Sentidos de las corrientes en los transistores.

1.2. VALORES LÍMITES DE LOS TRANSISTORES Al utilizar los transistores no deben sobrepasar determinados valores límites de tensión, intensidad y potencia. Estos valores suelen estar indicados en las hojas de datos de los fabricantes.
















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Suelen indicarse los valores límites para la tensión base-emisor, para la tensión colector - base y para la tensión colector - emisor. También suelen indicarse las máximas intensidades permisibles de las corrientes de base y de colector. Durante su funcionamiento los transistores no deben calentarse excesivamente. El calentamiento es debido a la potencia eléctrica transformada en calor en el transistor, o sea a sus pérdidas totales de potencia. Ptot que se calculan con la fórmula. PTOT = UCE . IC + UBE . IB Para evitar un calentamiento excesivo del transistor no debe sobrepasarse la máxima potencia de pérdidas indicada por el fabricante en sus hojas de datos (Fig. 9).

1.3.

OBTENCIÓN DE LA TENSIÓN DE POLARIZACIÓN DE BASE Y DETERMINACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO De la Fig. 2 dedujimos que para el funcionamiento del transistor son precisas dos tensiones UBE y UCE.















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Al elegir la tensión de polarización de base quedan fijados también la corriente IB y el punto de trabajo del circuito base-emisor, o sea, el punto de trabajo del circuito de entrada. La Fig. 11 nos muestra las características más importantes del transistor BD 130. Hemos trazado el punto de trabajo del circuito de entrada para una tensión de polarización de base U BE = 1,25V. Los transistores suelen funcionar con un resistor de trabajo R a conectado en serie en el circuito de colector. Por consiguiente, podremos trazar sobre las características de salida la correspondencia recta de trabajo para obtener el punto de trabajo del circuito de salida. La construcción de la recta de trabajo se efectúa de modo análogo a como lo hicimos con los diodos rectificadores. También podemos ver en la Fig. 11, la obtención exacta del punto de trabajo del circuito de salida así como la distribución de las tensiones en el transistor (U CE) y en la resistencia de trabajo (URA). Cuando varíe (UBE) también variarán los puntos de trabajo trabajo de los circuitos circuitos de entrada y salida.
















2.

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TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR Hemos ya puesto de manifiesto que la corriente de colector de un transistor puede gobernarse con ayuda de la tensión base-emisor. Por lo tanto, también puede utilizarse un transistor como conmutador. Para ello solamente cuando deba circular una corriente de colector se aplicará al transistor una tensión baseemisor en sentido directo. La carga se conectará conectará en el circuito circuito de colector. colector. En las Fig. 12 a y b podemos ver un circuito de este es te tipo en los estados “off”. Por ejemplo, si sustituimos el interruptor interruptor mecánico auxiliar y R 1 de la Fig. 12 por un fotorresistor, el transistor conmutará dependiendo de la iluminación. Se obtiene así un conmutador sensible a la luz. De modo análogo es también posible la fabricación de conmutadores sencillos dependientes del campo magnético, de la presión o de la temperatura.















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Fig. 13 Amplificador con transistor

3.

CIRCUITOS BASICOS DE AMPLIFICACIÓN Los transistores se utilizan con gran frecuencia para amplificar pequeñas tensiones alternas o continuas. A continuación vamos a ocuparnos en primer lugar del efecto amplificador del transistor.

3.1.

EFECTO AMPLIFICADOR DE LOS TRANSISTORES La Fig. 13 nos muestra un sencillo circuito amplificador. R a es el resistor de trabajo o de carga. La tensión de polarización de base se obtiene mediante el divisor de tensión R 1 y R 2. La entrada del circuito se encuentra entre la base y el emisor, la salida, entre el colector y el emisor. Como el emisor es el punto de conexión común para la entrada y para la salida tenemos un circuito de emisor común. También existen circuitos en los que el punto común a la entrada y a la salida es la base o


















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La variación de la intensidad de base (corriente de entrada)  IB = 50 mA provoc una variación de la intensidad de colector colector (corriente de salida)  IC = 1,24 A.

Por tanto, la variación de la tensión de entrada  UBE y la variación de la intensidad de entrada  IB han quedado amplificadas.















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Fig. 14 Amplificación con un transistor transistor
















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El cociente entre IC y IB se denomina ganancia de intensidad V I V I = lC --------lB El cociente UCE

. IC

se denomina ganancia de potencia V P y es igual al

----------------UBE . IB

Producto

VU . VI

VP = Vu

. VI

Con los valores del experimento 2 o con con ayuda de la Fig. 14 podemos podemos obtener las siguientes ganancias para el circuito del experimento 2. V U = 12, 5 V ----------0,17 V

V U = 73,53

V I = 1,25 A -------------0,05 A

V i = 25

V p = 73,53 *25

V p = 1838, 25















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en R a con lo que U CE disminuirá. La tensión colector - emisor será una tensión mixta, al igual que la tensión base-emisor. No obstante, el condensador C2 sólo deja pasar la componente alterna, de modo que a la salida del circuito sólo mediremos la tensión alterna de salida Ua. Esta tensión estará desplazada 180º respecto a Ue o sea, en oposición de fase.
















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Fig. 17 Amplificador de alterna con dos etapas

















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3.3. AMPLIFICADOR DE TENSIÓN CONTINUA Los amplificadores de tensión continua pueden tener una o varias etapas. La Fig. 18 nos muestra un amplificador de dos etapas sin condensadores de acoplamiento. En este amplificador una tensión continua a la entrada también aparece amplificada a la salida. Este tipo de amplificadores se denomina amplificadores de tensión continua. El resistor de trabajo R a1 a1 forma junto con el transistor V1 el divisor de tensión de base para el transistor V2. Cuando varía la intensidad de colector de V1 al aplicar una tensión alterna o continua a la entrada del amplificador también variará la tensión colector - emisor de V1. Como esta tensión es a la vez la tensión de entrada de V2, también se desplazará el punto de trabajo de V2. Por tanto, variará la tensión emisor
















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a) b) c) d) e) f) g) h) i)

Estructura más simple y menor tamaño. Menor consumo de potencia : W. Mayor densidad de integración: gracias a las ventajas a y b. Por las tres razones anteriores más económicos. Casi inmune a la radiación. Resistencia de entrada alta, del orden de M-ohms. Menos ruido. No tiene tensión umbral para corriente cero. Más estable térmicamente.

Y sus desventajas: 

No maneja potencias altas: limitado en voltajes y corrientes.

Símbolos















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4.1.2.

ANÁLISIS CUALITATIVO En la Fig 21 se muestra un JFET de canal N. El drenador (drain) y el surtidor (source) están en los extremos del canal. El material tipo P, que conforma la puerta, se encuentra a ambos lados del canal formando uniones de semiconductores. Cuando las puertas 1 y 2 se unen se tiene un FET de una sola puerta.
















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Para controlar el flujo de corriente a través del canal se polariza la unión de la puerta inversamente, tal como se muestra en la Fig. 23. El polarizar inversamente la unión crea una zona sin portadores libres, estrechando el canal y por lo tanto disminuyendo la corriente entre drenador y surtidor, tal como se muestra en la Fig. 23 b. Si se aumenta la polarización inversa, el canal se hace más estrecho hasta llegar al estrangulamiento, tal como se muestra en la Fig. 23 c.















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S2 S2

V DD DD

V D V G

V G

(a)

(b)

Fig. 24 Circuito para determinar características de salida


















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Similarmente a como obtuvimos la curva anterior podemos obtener toda una familia de curvas manteniendo constante el valor de VGS´ y variando VDS´ utilizando un circuito similar al de la Fig. 26

ID















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A partir de la curva de la figura podemos obtener la característica de transferencia , para esto debe tomar la zona en el cual VDS es mayor que VP y constante constante , la característica conocida como transferencia se muestra en la Fig. 28.
















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4.2.4.

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CURVAS CARACTERÍSTICAS En la Fig. 34 se muestra las curvas características de un Mosfet canal n de empobrecimiento.

















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