Aqui les vamos a hablar sopre el sistema electrico de potencia, diagrama unifilar, diagrama de impedancias y reactancias, cantidades en por unidad(p.u) cambio y seleccion de la base (p.u), i…Descripción completa
Descripción: MARCO LEGAL DE PROCESOS ELECTORALES ELECCIONES 2016 PERU
Descripción: unidad 2 una
unidad II de la asignatura de psicologia general
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Dessarrollo de la Unidad numero 2 del plan de prevencion de riesgo enfocada a accidentalidad laboral.Descripción completa
Capitulo 2 TRANSISTORES
En 194 19477 los Físico Físicoss Walter lter Bratta Brattain, in, Willi William am Shock Shockley ley y John John Barde Bardeen, en, de los laboratori laboratorios os Bell hacen el descubrim descubrimiento iento del transistor (ontracci!n (ontracci!n de los t"rminos #rans$er %esistor &' Es un disositi)o electr!nico emleado como amli$icador de corriente y de )olta*e, y consiste de materiales semiconductores semiconductores +ue comarten comarten límites límites $ísicos $ísicos en comn' -os materiales m.s materiales m.s comnmente emleados son el silicio y el /ermanio, en los cuales son a/re a/re/a /ado doss las las imu imure re0a 0as' s' En los los semiconductores del del tio tion, n, hay hay un e2ce e2ceso so de electrones libres, o car/as ne/ati)as, mientras +ue en los semiconductores del tio hay un de$iciencia de electrones y or consi/uiente un e2ceso de car/as ositi)as' -os transistores son transistores son un comonente imortante en los circuitos inte/rados y son emleados en much muchas as ali alica caci cion ones es como como rece recet tor ores es de radio radio,, comutadoras electr!nic electr!nicas, as, y instrumentaci!n de instrumentaci!n de control control autom.tico autom.tico ()uelos esaciales y misiles diri/idos&' 3esde su in)enci!n anunciada en 194, or los cientí$icos norteamericanos William Shockley, John John Bardee Bardeenn y Walter lter Bratta Brattain, in, di$ere di$erente ntess tios tios se han han desar desarrol rollad lado' o' Ellos Ellos son son clasi$ clasi$ica icados dos or lo /en /enera erall en biolare biolaress y de e$ecto e$ecto de camo' camo' 5n transistor biolar consiste de tres caas6 las caas suerior y la in$erior, llamadas emisor y colector son de un tio de semiconductor, mientras +ue la del medio, llamada base es de del otro tio de semiconductor' semiconductor' -as suer$icies +ue searan, los tios di$erentes de semiconductores son llamados *untura n' -os electrones asan a tra)"s de las *unturas de una caa hacia otra' -a acci!n del transistor es tal +ue si el otencial el"ctrico en los se/mentos son determinados correctamente, correctamente, una e+uea corriente entre el emisor y la base roduce en una /ran corriente entre el emisor y el colector, roduci"ndose así la amli$icaci!n de corriente' 5n transistor de e$ecto de camo $unciona de manera similar e2ceto +ue la resistencia al resistencia al $lu*o de electrones es modulada or un camo el"ctrico e2terno' el"ctrico e2terno' En un *unci!n $ielde$$ect transistor (JFE#&, el camo el"ctrico controlador es roducido or una olari0aci!n in)ersa en la *untura n (una en la cual el )olta*e es alicado, de tal manera +ue hace +ue el lado sea ne/ati)o con resecto al lado n&8 en un :SFE# (metal o2ido semiconductor $ield e$$ect transistor&, el camo el"ctrico es debido a una car/a en un caacitor $ormado or un electrodo de metal y una caa aislante de o2ido +ue seara el electrodo del semiconductor'
2.1 Clasificación de los transistores
n BJT
nn
TRANSISTORES
TIRISTOR
S% ;#: #%<= %# %# S<#> -=S% de canal n JFET
de canal FET
MISFET
de acumulaci!n MOSFET
de )aciamiento Tipos de Transistores
E2isten distintos tios de transistores, de los cuales, la clasi$icaci!n m.s acetada consiste en di)idirlos en transistores biolares o BJ# ( bipolar junction transistor & y transistores de e$ecto de camo o FE# ( field effect transistor &' &' -a $amilia de los transistores de e$ecto de camo es a su )e0 bastante amlia, en/lobando los JFE#, :SFE#,
#rans #ransist istore oress Biola Biolares res de uni!n, uni!n, BJ#' BJ#' ?@? ?@? o @?@, @?@, (del (del in/les in/les,, Biola Biolarr Junci! Junci!nn #ransistor&' El t"rmino biolar e2resa el hecho de +ue los huecos y los electrones artician en el roceso el roceso de de inyecci!n de car/as y +ue se ueden diri/ir hacia el material olari0ado de $orma $orma in)ersa' El transistor b*t est. comuesto or tres cristales +ue ueden ueden ser de Silicio o ;ermanio, ;ermanio, y ueden ser del tio @?@ o ?@? ()er doado caitulo <& como se )e en la $i/ura $ i/ura A'1
2.1 Clasificación de los transistores
n BJT
nn
TRANSISTORES
TIRISTOR
S% ;#: #%<= %# %# S<#> -=S% de canal n JFET
de canal FET
MISFET
de acumulaci!n MOSFET
de )aciamiento Tipos de Transistores
E2isten distintos tios de transistores, de los cuales, la clasi$icaci!n m.s acetada consiste en di)idirlos en transistores biolares o BJ# ( bipolar junction transistor & y transistores de e$ecto de camo o FE# ( field effect transistor &' &' -a $amilia de los transistores de e$ecto de camo es a su )e0 bastante amlia, en/lobando los JFE#, :SFE#,
#rans #ransist istore oress Biola Biolares res de uni!n, uni!n, BJ#' BJ#' ?@? ?@? o @?@, @?@, (del (del in/les in/les,, Biola Biolarr Junci! Junci!nn #ransistor&' El t"rmino biolar e2resa el hecho de +ue los huecos y los electrones artician en el roceso el roceso de de inyecci!n de car/as y +ue se ueden diri/ir hacia el material olari0ado de $orma $orma in)ersa' El transistor b*t est. comuesto or tres cristales +ue ueden ueden ser de Silicio o ;ermanio, ;ermanio, y ueden ser del tio @?@ o ?@? ()er doado caitulo <& como se )e en la $i/ura $ i/ura A'1
Fi/ura A'1 transistor @?@ y ?@? en sus tres 0onas -a 0ona @ del transistor(i0+uierda& es el Emisor, la 0ona central ? es la Base y la 0ona @(derecha es el olector' El Emisor est. $uertemente doado, la base tiene una imuri$icaci!n muy ba*a, mientras +ue el olector osee una imuri$icaci!n intermedia' -os transi transisto stores res son utili0 utili0ado adoss como como interr interrut utore oress electr electr!ni !nicos cos de oten otencia cia'' -os circuitos de e2citaci!n de estos se disean ara +ue "stos est"n comletamente saturados (acti) (acti)ado ados& s& o en corte corte (desa (desacti cti)ad )ados& os&'' -os transi transisto stores res tienen tienen la )en )enta* ta*aa de +ue roorcionan un control control de acti)aci!n acti)aci!n y de desacti)aci!n' desacti)aci!n' Transistor Tr ansistor Bipolar de "etero#$nt$ra
El transistor biolar de hetero*untura (#B>& es una me*ora del #BJ +ue uede mane*ar seales de seales de muy altas $recuencias, $ recuencias, de hasta )arios cientos de ;>0' Es un disositi)o muy comn hoy en día en circuitos de muy alta )elocidad de conmutaci!n, /eneralmente en sistemas de sistemas de radio$recuencia' -os transistores de hetero*untura tienen di$erentes semiconductores ara los elementos del transistor' 5sualmente el emisor est. comuesto or una banda de material m.s lar/a +ue la base' Esto ayuda a reducir la inyecci!n de ortadores minoritarios desde la base cuando la *untura emisorbase est. olari0ada en directa y esto aumenta la e$iciencia de la inyecci!n del emisor' -a inyecci!n de ortadores me*orada en la base ermite +ue "sta ueda tener un mayor ni)el de doa*e, lo +ue resulta en una menor resistencia'' on un transistor de *untura biolar con)encional, tambi"n conocido como resistencia transistor biolar de homo*untura, la e$iciencia de la inyecci!n de ortadores desde el emisor hacia la base est. rincialmente determinada or el ni)el de doa*e entre el emisor y la base' 3ebido a +ue la base debe estar li/eramente doada ara ermitir una alta e$iciencia de inyecci!n de ortadores, su resistencia es relati)amente alta'
El tiristor
5n tiristor es uno de los tios m.s imortantes imortantes de los disositi)os ssemiconductores emiconductores,, los tiristores se utili0an en $orma e2tensa en los circuitos electr!nicos de otencia' Se oeran como conmutadores biestables, asando de un estado no conductor a un estado cond conduc ucto torr' ?ara ?ara much muchas as ali alica caci cion ones es se ued uedee suo suone nerr +ue +ue los los tiris tiristo tore ress son son interrutores o conmutadores ideales, aun+ue los tiristores r.cticos e2hiben ciertas características y limitaciones' 3eend 3ee ndie iend ndoo de la cons constr truc ucci ci!n !n $ísi $ísica ca y del del com comor orta tami mien ento to de acti acti)a )aci ci!n !n y desacti)aci!n, desacti)aci!n, en /eneral los tiristores ueden clasi$icarse en ocho cate/orías6
1' #iristores de control de $ase o de conmutaci!n conmut aci!n r.ida r.i da (S%&' A' #iristores de desacti)aci desacti)aci!n !n or comuerta comuer ta (;#:&' C' #iristores de triodo bidireccional (#%<=&' 4' #iristores de conducci!n in)ersa (%#&' D' #iristores de inducci!n est.tica es t.tica (S<#>&' (S <#>&' ' %ecti$icadores controlados or silicio acti)ados or lu0 (-=S%
2.2 El transistor s$stentado con dos diodos
5n transistor es similar a dos diodos de ro!sito /eneral, en "l se marcan dos uniones, una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector' El emisor y la base $orman uno diodo, mientras mientras +ue el colector y la base $orman el otro diodo' diodo' Estos diodos son denominados6 3iodo de emisor y 3iodo de colector , como odemos areciar en la $i/ura A'A a y b en ambos casos tendremos transistores tio ?@? y @?@, en donde los emisores de ambos transistores est.n $uertemente doados, las bases li/eramente doados y los colectores medianamente doados'
(a& (b& Fi/ura A'A transistor reresentado or caas y diodos 2.2.1 El transistor con polari%ación
?ara +ue un transistor ueda $uncionar correctamente, se tienen +ue cumlir una serie de condiciones, como son6
• • •
El esesor de la base sea muy e+ueo El emisor est" mucho m.s doado +ue la base Est" bien olari0ado, es decir a las tensiones adecuadas'
uando un transistor tio @?@ se olari0a como aarece en la $i/ura A'C, se odría eserar +ue s!lo circule corriente entre el emisor y la base, las cuales se encuentran con las uniones olari0ada en $orma directa, y +ue no circule corriente entre la uni!n base y colector debido a la olari0ada in)ersa +ue esta tiene, ara entender el $lu*o de corrientes analicemos el si/uiente .rra$o' uando en$rentamos dos cristales uno del tio ? y otro tio @, e2istir. en el momento de en$rentarlos un $lu*o de corriente en las suer$icies de ellos, recordemos +ue este $lu*o de corriente se les llama corrientes de $u/a y es mínima, ero en el momento +ue encuentren su e+uilibrio el"ctrico de*aran de $luir electrones de una caa a otra, este roceso se resenta cuando los cristales no est.n olari0ados' ?ero si unimos tres caas de cristales ya sean ?@? o @?@ y los olari0amos entonces el roceso $uncionara de la si/uiente $orma6 >a/amos rimero el an.lisis del transistor nn, cuando se halla olari0ado, si ro)oc.ramos una 3i$usi!n de car/as ne/ati)as en e2ceso or el cristal @ debido a un alto doado, estas car/as(electrones& trataran de cru0an de la 0ona @ a la 0ona ?(muy del/ada&, cuando lo lo/ran, encuentran un hueco y se recombinan' Esto hace +ue en las uniones entre las 0onas n y se /eneren iones ositi)os y ne/ati)os $i/ura A'C, esta di$usi!n y recombinaci!n se da hasta lle/ar al e+uilibrio'
Fi/ura A'C di$usi!n y recombinaci!n de los electrones en el transistor Secundariamente se ro)ocar. una barrera de otencial de ,7 G (ara el Si& y 'C (ara ;e&, ero como son tres caas, entonces se crean dos 0onas de recombinaci!n y dos barreras de otencial, una en la uni!n EB (W e& +ue seria de un esesor e+ueo debido a la olari0aci!n, y otra en la uni!n B'(H c&de un esesor mayor or la olari0aci!n in)ersa' Si GBB es mayor al )alor de barrera de otencial, $luir.n /randes cantidades de electrones desde el emisor hasta la base, en este unto los electrones tendr.n dos caminos a se/uir, uno es salir de base hasta lle/ar al olo ositi)o de la $uente G BB, y el otro es lle/ar hasta el colector del transistor, en el rimer caso, la cantidad de electrones +ue $luyen son en cantidades mínimas y esto es or el obre doado +ue e2iste, y en el se/undo caso, tendremos una mayor cantidad de electrones, y es debido al doado +ue tiene el colector'
El símbolo reresentati)o de un transistor en sus dos )ersiones, son como el +ue se muestra en la $i/ura A'C a
Fi/ura A'C a símbolos del transistor nn y n
&a'os en $n transistor
?ara comrobar si un transistor $unciona correctamente, sear"moslo del circuito donde se encuentre conectado, y con un !hmetro hacer lecturas en los tres untos +ue se encuentran re$erenciados al transistor como se muestra en la $i/ura A'4
Fi/ura A'4 comrobaci!n de $uncionamiento del transistor :bser)e en la $i/ura A'4 +ue cuando se conecta el !hmetro di/ital entre la base y el emisor, marcar. una resistencia e+uea, y cuando esta conectado in)ersamente la resistencia es alta' :tras osibles a)erías son6 • • •
% s (cortocircuito&' % o (abierto&' G (no e2ista &
2.2 Corrientes en $n transistor
-os arre/los +ue se mane*aron ara el comortamiento de un diodo son6 Iue se olarice directamente el diodo $i/ura A'Da, y esto /enerara una cur)a como la de la $i/ura A'Db
a
b
Fi/ura A'D ?olari0aci!n y cur)a característica del transistor en la entrada ?ara un transistor tambi"n tomamos criterios, es decir debemos considerar las leyes de irchho$$, y sealaremos +ue todas la corrientes entrantes en un unto ser.n i/uales a las suma de las corrientes salientes, y se encuentran re/idas or la ecuaci!n A'1
< K
I C
+
I B
ecuaci!n A'1
El transistor entonces es un amli$icador de corriente, esto si/ni$icara +ue si le alicamos una cantidad de corriente a tra)"s de la base, el colector entre/ar. una cantidad de corriente mayor a la alicada, a este roceso se le llama amli$icaci!n' Esta amli$icaci!n tambi"n se le conoce como $actor L (beta& y es un dato roio de cada transistor' Entonces la ecuaci!n resultante ara < ser.6
ecuaci!n A'A
Se/n la ecuaci!n A'A las corrientes no deenden del )olta*e +ue alimenta el circuito (Gcc&, ero en la realidad si lo hace, y ara la corriente < b tambi"n cambiaria li/eramente se uede )er en la $i/ura' A'
Fi/ura A' cur)a del transistor cuando cambia G @ormalmente los transistores resentan )arias cur)as, estas est.n en $unci!n de la corriente +ue circule or la base, como se muestra en la $i/ura A'7, en ella se obser)ara tambi"n +ue e2isten tres re/iones +ue anali0aremos en el si/uiente .rra$o'
Fi/ura A'7 ur)as características de un transistor con sus re/iones
2.( Re)iones operati*as del transistor
3e$inamos cada una de las re/iones +ue se marcan en la $i/ura A'7 Re)ión de corte6 5n transistor esta en corte cuando la corriente de colector es i/ual a la corriente de emisor K Ic + Ie + ,!
En este caso el )olta*e entre el colector y el emisor del transistor, ser. el )olta*e de alimentaci!n del circuito, como no hay corriente circulando, no hay caída de )olta*e, entonces interretaremos +ue la corriente de base K (
Ic + Ie + I -/i-a!
En este caso la ma/nitud de la corriente, deende del )olta*e de alimentaci!n +ue ten/a el circuito, y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos casos, suonemos +ue la corriente de base es lo su$icientemente /rande como ara inducir una corriente de colector L )eces m.s /rande' (recordar +ue
utili0ando como un amli$icador' EJERCICIO0
3e la $i/ura A' suon/amos +ue < E sea la corriente de entrada y +ue tiene un )alor de
Fi/ura A' sentido de corrientes dentro de un transistor ?or comodidad cambiaremos la direcci!n a < E en la $i/ura A' y así oder obtener un )alor +ue sea ositi)o, y la ecuaci!n resultante ser.6
Fi/ura A'9 in)ersi!n de $lechas
El Alfa y Beta del transistor 5na $orma de medir la e$iciencia del transistor BJ# es a tra)"s de la cantidad de electrones caaces de cru0ar la base y alcan0ar el colector' El alto doa*e de la re/i!n del emisor y el ba*o doa*e de la re/i!n de la base ueden causar +ue muchos m.s electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base +ue huecos desde la base hacia el emisor' -a ganancia de corriente emisor común est. reresentada or L F o or h$e' Esto es aro2imadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la re/i!n acti)a directa y es tíicamente mayor a 1' :tro ar.metro imortante es la ganancia de corriente base común, P F ' -a /anancia de corriente base comn es aro2imadamente la /anancia de corriente desde emisor a colector en la re/i!n acti)a directa' Esta tasa usualmente tiene un )alor cercano a la unidad8 +ue oscila entre '9 y '99' El =l$a y Beta est.n m.s recisamente determinados or las si/uientes relaciones (ara un transistor @?@&6
2.4 El transistor polarizado Confi)$raciones
>ay tres tios de con$i/uraciones tíicas en los amli$icadores con transistores, cada una de ellas tienen características eseciales +ue las hacen me*or ara cierto tio de alicaciones' Si conect.ramos $uentes de tensi!n e2ternas ara olari0ar al transistor, se obtendrían las C con$i/uraciones /enerales6 • • •
Base comn (B&' Emisor comn (E&' olector comn (&'
= su )e0 cada una de estas con$i/uraciones uede traba*ar en las tres re/iones oerati)as del transistor, en el si/uiente cuadro se anali0an tres condiciones de los transistores'
Zona
Fuente
Zona activa Zona de saturación Zona de corte
VE directo y VC inverso VE directo y VC directa VE inversa y VC inversa
Función
Amplificador Conmutador Conmutador
-as características de los transistores utili0ados como amli$icadores de seal )arían de acuerdo al tio de 0ona +ue se utilice como comn' El amli$icador en E es el +ue tiene mayor acetaci!n, or tener una /ran amli$icaci!n de otencia, una /anancia de )olta*e y /anancia en corriente /rande' El amli$icador en emisor comn, se restrin/e or tener una /anancia en amli$icaci!n no mayor de uno, ero es ideal ara acolar $uentes de alta imedancia con car/as de ba*a imedancia, adem.s es un buen amli$icador de /anancia en corriente
2.4.1 Configuración en base común (BC El transistor utili0ado como amli$icador en B, resenta características como es, /anancia de otencia intermedia, es decir entre la /anancia +ue tiene el E y el , tiene una /anancia de corriente i/ual a uno, no uede roorcionar una /anancia de tensi!n, solamente la roorcionara cuando la imedancia de car/a es mayor +ue la imedancia de entrada' Este tio de amli$icador B es el menos utili0ado con resecto al E y , ero resenta una característica imortante' -a 0ona +ue m.s interesa en el amli$icador es la 0ona acti)a, or lo tanto haremos un an.lisis a ro$undidad en esta 0ona' -a 0ona de base suele ser muy estrecha en la r.ctica, y el $uncionamiento del transistor se anali0a en la $i/ura A'1'
Fi/ura A'1 $unci!n del transistor en la 0ona acti)a -a $uente G E roorciona el )olta*e re+uerido ara olari0arlo directamente, entonces el ne/ati)o de la $uente G E reele los electrones de la 0ona del emisor, al/unos cru0an la
uni!n del cristal @? del emisor' =l/unos de estos electrones cru0aran la se/unda uni!n del transistor (?@& y asaran or la 0ona de la base sin recombinarse' 3ebido a la $uente G e2iste la osibilidad +ue un electr!n cruce la se/unda barrera de otencial, ara desu"s salir or el colector como se uede )er en la $i/ura A'11
Fi/ura A'11 mo)imiento de un electr!n dentro de un transistor
Este es el e$ecto de un transistor con cristal @?, cuando se tiene +ue )encer las barreras de otencial, el electr!n tiene +ue asar la rimer barrera de otencial de la uni!n @?, y osteriormente tendr. +ue ba*ar la barrera de la uni!n ?@' 3e los electrones emitidos or el emisor, aro2imadamente un 1 N se recombina en la base, y un 99 N lle/a al colector, esto es el e$ecto del transistor' omo la base es muy estrecha y adem.s est. muy oco imuri$icada, entonces la robabilidad de +ue un electr!n se recombine en ella sea muy e+uea' El emisor emite electrones, el colector los reco/e, y la base es un disositi)o de control' =dem.s obser)e +ue el )olta*e en la entrada del emisor es de )alor muy e+ueo, y el )olta*e en su salida tendr. +ue ser de un )alor muy /rande comarado con la entrada Circ$ito polari%ado en dc para ase co-n
-a terminolo/ía +ue se utili0a en un circuito de base comn, es +ue su base es comn tanto en la entrada como en la salida del circuito, como se obser)a en la $i/ura A'1A, y los sentidos de corriente ser.n los sentidos con)encionales' -a $lecha dentro del circuito, de$ine la direcci!n de la corriente, note +ue la < E K< O
1.
uando el transistor este traba*ando en la re/i!n acti)a, la uni!n base colector se olari0aran in)ersamente, mientras +ue la uni!n base Q emisor esta olari0ado directamente' <
(.
En la re/i!n de saturaci!n, la uni!n base Q colector y base Q emisor est.n olari0adas en $orma directa' GBE K '7 G 4' -a seal se alica al emisor del transistor y se e2trae or el colector, la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida' En esta con$i/uraci!n se tiene /anancia s!lo de tensi!n' -a imedancia de entrada es ba*a y la /anancia de corriente al/o menor +ue uno, debido a +ue arte de la corriente de emisor sale or la base' Si aadimos una resistencia de emisor, +ue uede ser la roia imedancia de salida de la $uente de seal, un an.lisis similar al reali0ado en el caso de emisor comn, nos da la /anancia aro2imada si/uiente6
'
-a base comn se suele utili0ar ara adatar $uentes de seal de ba*a imedancia de salida como, or e*emlo, micr!$onos din.micos' >echas estas consideraciones obten/amos las ecuaciones resultantes ara este circuito, ha/amos el an.lisis ara la malla de entrada de la $i/ura A'1A en donde su ecuaci!n ser.6
3ese*ando la corriente de base tendremos6 ecuaci!n A'C
omo la corriente de base deender. de la roia resistencia en la base entonces ecuaci!n A'4 Sustituyendo la ecuaci!n A'C en la ecuaci!n A'A , obtenemos la corriente de colector, +ue su )alor deender. de L
Alfa 4!
?odemos decir +ue P traba*a ba*o dos ar.metros, uno es ara d'c y la otra ara a'c, ero en la mayor de las )eces las ma/nitudes tanto ara P d'c como ara P a'c son muy similares en )alor, or lo +ue se uede utili0ar la ma/nitud de una ara sustituir a la otra' El rimer caso +ue tocaremos ser. ara d'c, entonces P d'c es una relaci!n entre la corriente de colector y la corriente de emisor y esta de$inida or la letra P'
α =
− I c I E
ecuación 2.5
Las variables I C e IE son las corrientes que se darán en el punto de operación, los valores para α suelen ser desde !" #asta !""$ E!emplo" %ara el circuito de la fi&ura '!() que es de base com*n determinar para condiciones estáticas a+ el valor de voltae V C- y b+ el valor para l- !, cuando el transistor presenta una ./ $, c+ e0plique la función de los capacitores!
#olución " Las fuentes VEE, y VCC presentan valores de 1 Volts y (2 Volts respectivamente a+
La ecuación de entrada para el circuito será
V-E 3 IE 4E 5 VEE / 6espeando I E
4E
K
1V 5 !1 V
K A' m='
'!' 7
Como IE / IC A#ora para la ecuación de salida 5 VC- 3 IC 4C 5 VCC /