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bbbbDescripción completa
Organisational behaviour
Introducción a los Semiconductores Semiconductores.. Examen de Verdadero y Falso. 1.
Un átomo es la partícula más pequeña en un elemento. Verdadero.
2.
Un electrón es una partícula cargada negativamente. Verdadero.
3.
Un átomo esta compuesto por electrones, protones y neutrones. Verdadero.
4.
Los electrones son una parte del núcleo de un átomo. Falso.
5.
Los electrones de valencia existen en la capa externa de un átomo. Verdadero.
6.
Se forman cristales mediante el enlace de átomo. Verdadero.
7.
El silicio es un material semiconductor. Falso.
8.
Todos los diodos tiene una unión pn unión pn.. Verdadero.
9. Las regiones p regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionización. ionización. Falso. 10. Las dos regiones de un diodo son el ánodo y el colector. Falso. 11. Un diodo puede conducir corriente cuando en dos direcciones con igual facilidad. Falso. 12. Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en direct a. Verdadero. 13. Cuando está polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto. Falso. 14. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de huecos. Verdadero.
Examen de Acción de Circuitos. 1.
Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente de polarización en directa: a.
Se incrementa.
b. Se reduce. c. 2.
No cambia.
Cuando un diodo esta polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el voltaje a través del diodo (de acuer do con el modelo práctico): a.
Se incrementa.
b. Se reduce. c. 3.
No cambia.
Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente en inversa (de acuerdo con el modelo práctico): a.
Se incremente.
b. Se reduce. c. 4.
No Cambia.
Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la corriente (de acuerdo con el modelo completo): a.
Se incremente.
b. Se reduce. c.
No Cambia.
5.
Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el voltaje a través del diodo (de acuer do con el modelo completo): a.
Se incremente.
b. Se reduce. c. 6.
No Cambia.
Si la corriente de polarización en directa en un diodo se incrementa, el voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo practico): a.
Se incremente.
b. Se reduce. c. 7.
No Cambia.
Si la corriente de polarización en directa en un diodo se reduce, e l voltaje en el diodo (de acuerdo con el modelo completo): a.
Se incremente.
b. Se reduce. c. 8.
No Cambia.
Si se excede el potencial de barrera de un diodo, la corriente de polarización en directa: a.
Se incremente.
b. Se reduce. c.
No Cambia.
Autoevaluación 1.
Cada elemento conocido tiene: a.
El mismo tipo de átomos.
b. El mismo número de átomos. c.
Un tipo único de átomo.
d. Varios tipos diferentes de átomos 2.
Un átomo está compuesto por: a.
Un núcleo y sólo un electrón.
b. Un núcleo y uno o más electrones. c.
Protones, electrones y neutrones.
d. Respuestas b y c. 3.
El núcleo de un átomo está compuesto por: a.
Protones y neutrones.
b. Electrones. c.
Electrones y protones.
d. Electrones y neutrones. 4.
Los electrones de valencia están: a.
En la órbita más cercana al núcleo.
b. En la órbita más distante del núcleo. c.
En varias órbitas alrededor del núcleo.
d. No asociado con un átomo particular.
5.
Un ion positivo se forma cuando: a.
Un electrón se escapa de átomo.
b. Hay más huecos que electrones en la órbita externa. c.
Dos átomos se enlazan entre sí.
d. Un átomo adquiere un electrón de valencia extra. 6.
El material semiconductor más utilizado en dispositivos electrónicos es el: a.
Germanio.
b. Carbón c.
Cobre.
d. Silicio. 7.
La diferencia entre un aislante y un semiconductor es: a.
Una banda prohibida más amplia entre la banda de valencia y la banda de conducción.
b. El número de electrones libre. c.
La estructura atómica.
d. Respuesta a, b y c. 8.
La banda de energía en la cual existen los electrones libres es la: a.
Primera banda.
b. Segunda banda. c.
Banda de conducción.
d. Banda de valencia. 9.
En un cristal semiconductor, los átomos se mantienen unidos por: a.
La interacción de los electrones de valencia.
b. Las fuerzas de atracción. c.
Los enlaces covalentes.
d. Respuestas a, b y c. 10. El número atómico del silicio es: a.
8
b. 2 c.
4
d. 14 11. El número atómico del germanio es: a.
8
b. 2 c.
4
d. 32 12. La capa de valencia en un átomo de silicio tiene la designación de número de: a.
0
b. 1 c.
2
d. 3
13. La capa de valencia en un átomo de silicio tiene la designación de: a.
Cuatro electrones de valencia.
b. Cuatro electrones de conducción. c.
Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos.
d. Ningún electrón de valencia porque todos son compartidos con otros átomos. 14. Los pares de electrón-hueco se producen por: a.
Recombinación.
b. Energía térmica. c.
Ionización.
d. Dopado. 15. Ocurre recombinación cuando: a.
Un electrón cae en un hueco.
b. Un ion positivo e ion negativo se enlaza. c.
Un electrón de valencia se convierte en un electrón de conducción.
d. Se forma un cristal. 16. La corriente en un semiconductor es producida por: a.
Sólo electrón.
b. Sólo huecos. c.
Iones negativos.
d. Tanto electrones como huecos. 17. En un semiconductor intrínseco: a.
No hay electrones libres.
b. Los electrones libres son producidos térmicamente. c.
Solo hay huecos.
d. Hay tantos electrones como huecos. e.
Respuestas b) y d).
18. En proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco se llama: a.
Dopado.
b. Recombinación. c.
Modificación atómica.
d. Ionización. 19. Se agregan impurezas trivalente al Silicio para crear a.
Germanio.
b. Un semiconductor tipo p. c.
Un semiconductor tipo n.
d. Una región de empobrecimiento. 20. El propósito de una impureza pentavalente es a.
Reducir la conductividad del Silicio.
b. Incrementar el número de huecos. c.
Incrementar el número de electrones libres.
d. Crear portadores minoritarios. 21. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son:
a.
Huecos.
b. Electrón de valencia. c.
Electrones de conducción.
d. Protones. 22. Los huecos en un semiconductor tipo n son: a.
Portadores minoritarios producidos térmicamente.
b. Portadores minoritarios producidos por dopado. c.
Portadores mayoritarios producidos térmicamente.
d. Portadores mayoritarios producidos por dopado. 23. Se forma una unión pn mediante: a.
La recombinación de electrones y huecos.
b. Ionización. c.
El límite de un material tipo n y un tipo p.
d. El choque de un protón y un neutrón. 24. La región de empobrecimiento se crea por: a.
Ionización.
b. Difusión. c.
Recombinación.
d. Respuestas a), b) y c). 25. La región de empobrecimiento se crea por: a.
Nada más que portadores minoritario.
b. Iones positivos y negativos. c.
Nada de portadores mayoritarios.
d. Respuestas b) y c). 26. El termino polarización es: a.
La relación de los portadores mayoritarios a los portadores m inoritarios.
b. La cantidad de corriente a través de un diodo. c.
Un voltaje de cc aplicado para controlar la operación de un dispositivo.
d. Ni a) ni b) ni c). 27. Para polarizar en directa un diodo: a.
Se aplica un voltaje externo positivo en el ánodo y negativo en el c átodo.
b. Se aplica un voltaje externo negativo en el ánodo y positivo en el c átodo. c.
Se aplica un voltaje externo positivo en la región p y negativo e n la región n.
d. Respuestas a) y c). 28. Cuando un diodo esta polarizado en directa: a.
La única corriente es la de huecos.
b. La única corriente es la de electrones. c.
La única corriente es la producida por los portadores mayoritarios.
d. La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones. 29. Aunque la corriente está bloqueada con polarización en inversa: a.
Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritarios.
b. Hay una corriente muy pequeña debido a los portadores minoritarios.
c.
Hay una corriente de avalancha.
30. Para un diodo de silicio, el valor del voltaje de polarización en directa en general: a.
Debe ser mayor que 0.3 V.
b. Debe ser mayor que 0.7 V. c.
Depende del ancho de la región de empobrecimiento.
d. Depende de la concentración de portadores mayoritarios. 31. Cuando se polariza en directa un diodo: a.
Bloquea la corriente.
b. Conduce corriente. c.
Tiene una alta resistencia.
d. Reduce un voltaje grande. 32. Un diodo opera normalmente en: a.
La condición de ruptura con polarización en inversa.
b. La región de polarización en directa. c.
La región de polarización en inversa.
d. Respuesta b) y c). 33. La resistencia dinámica puede ser importante cuando un diodo: a.
Se polariza en inversa.
b. Se polariza en directa. c.
Se encuentra en la condición de ruptura con polarización en inversa.
d. No esta polarizado. 34. La curva V-I para un diodo muestra: a.
El voltaje a través del diodo con una corriente dada.
b. La cantidad de corriente con un v oltaje de polarización dado. c.
La disipación de potencia.
d. Ninguna de estas situaciones. 35. Idealmente, un diodo puede ser representado por: a.
Una fuente de voltaje.
b. Una resistencia. c.
Un interruptor.
d. Todas las anteriores. 36. En el modelo practico de diodo: a.
El potencial de barrera se toma en cuenta
b. La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta c.
Ninguna de las anteriores
d. Tanto a) como b) 37. En el modelo completo del diodo: a.
El potencial de barrera se toma en cuenta.
b. La resistencia dinámica con polarización en directa se toma en cuenta. c.
La resistencia con polarización en inversa se toma en cuenta.
d. Todas las anteriores.
38. Cuando un diodo de Silicio funciona apropiadamente, un DMM puesto en la posición prueba de diodo indicara: a.
0V
b. OL c.
Aproximadamente 0.7 V
d. Aproximadamente 0.3V 39. Cuando un diodo de Silicio está abierto, un DMM indicara en general: a.
0V
b. OL c.
Aproximadamente 0.7 V
d. Aproximadamente 0.3 V
Problemas Básicos. 1.
Si el numero atómico de un átomo neutro es 6 ¿Cuántos electrones tiene el átomo? ¿Cuántos Protones? 6 electrones y 6 protones.
2.
¿Cuál es el número máximo de electrones que pueden existir en la tercera capa de un átomo? 18 electrones.
3.
En dada uno de los diagramas de energía que aparecen en la figura 1-40, determine la clase de material con base en comparación relativas.
a.
Aislante.
b. Semiconductor. c.
Conductor.
4.
Cierto átomo tiene cuatro elec trones de valencia ¿Qué tipo de átomo es? Tetravalente.
5.
En un cristal de Silicio ¿Cuantos enlaces covalentes forman un solo átomo? 4.
6.
¿Qué sucede cuando se agrega calor al silicio? Se hace un buen conductor.
7.
Nombre dos bandas de energía donde se produce corriente en silicio. Conducción y de Valencia.
8.
Describa el proceso de dopado y e xplique cómo altera la estructura atómica del silicio
El proceso más común para dopar algún semiconductor es el método de Czochraiski el cual consiste en fundir el material en este caso el Silicio al cual ya estando fundido se le añade la impureza del tipo necesario (n o p), después se introduce la semilla en el fundido la cual se hace girar al sentido contrario del cual está girando el material fundido lo cual hace que semilla crezca. 9.
¿Qué es el Antimonio? ¿Qué es el Boro? El Antimonio es una pentavalente y el Boro un trivalente.
10. ¿Cómo se crea el campo eléctrico a través de la unión pn? Por la recombinación de los electrones (para e lectrón-hueco). 11. Debido a su potencial de barrera ¿puede ser utilizado un diodo como fuente de voltaje? Explique: No, El potencial de barrera es una caída de tensión. 12. Para polarizar en directa un diodo ¿qué región se debe conectar la terminal positiva de una fuente de voltaje? Al ánodo. 13. Explique porque se requiere un resistor en serie cuando un diodo se polariza en directa. Para reducir el voltaje. 14. Explique cómo se genera la parte de polarización en directa de la c urva característica 15. ¿Qué provocaría que el potencial de barrera de un diodo de silicio disminuyen de 0.7 V a 0.6V? Provocaría que dejara de pasar corriente.
