TRANSISTORES BJT, DARLINGTON, DARL INGTON, MOSF MOSFET ET,, IGBT Ponce Wong Luis Lui s Andrei
Transistores BJT:
Dispositivo electrónico de estado sólido que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: - Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. - Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. - Colector, de extensión mucho mayor.
Transistores MOSFET:
Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Diferencias entre FET y BJT
La independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la de los BJT. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.
Transistores Darlington: Dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo, tiene una alta ganancia de corriente. tiene una ganancia mucho mayor que Este amplificador la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (las ganancias se multiplican).
Transistores IGBT:
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor ) es un dispositivo semiconductor que posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar , combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Aplicaciones:
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS. El transistor MOSFET es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en él. Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeñas. El transistor IGBT generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia, también han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor , electrodoméstico televisión domótica Sistemas de Alimentación
Valores comparativos:
Corrientes (A)
Voltajes (v)
Frecuencias
BJT
15A
Hasta 1200v
25Khz
Darlington
5A
Hasta 1200v
50Khz
MOSFET
5A
Hasta 1000v
300Khz - 400Khz
IGBT
60A
Hasta 2000v
75Khz
