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707-S09 REV.29 DE JULIO DE 2006

JORDAN I. SIEGEL JAMES JINHO CHANG

Samsung Electronics Introducción Kun Hee Lee, presidente del grupo Samsung, reflexionaba sobre la estrategia de su empresa sentado en el despacho instalado en el sótano de su casa. De la pared de su despacho colgaba una pantalla de cien pulgadas, y frente a la pantalla se encontraba una mesita baja, de unos treinta centímetros de altura. Gran parte de la jornada de Lee transcurría en esta habitación, estudiando las estrategias de sus competidores y supervisando decisiones de inversión de miles de millones de dólares. Al lado de la mesita había cientos de cintas de vídeo y DVD, en muchas de las cuales se analizaba la trayectoria y estrategias de sus competidores. Arrimados a la pared se acumulaban todos y cada uno de los productos que Samsung y sus competidores iban lanzando. Fiel a su formación como ingeniero, Lee los iba estudiando uno a uno para examinar su diseño y calidad de fabricación1. Sentado frente a su mesa baja con una taza de té verde coreano en la mano, Lee se preguntaba si su legión de empleados de Samsung seguiría su insistente recomendación de exigir siempre lo mejor en cuanto al diseño del producto y a la eficiencia en los procesos. Le preocupaba mucho que se produjera cierta autocomplacencia en su empresa. Recordaba cómo había aludido a ello en una reunión con los altos ejecutivos de la empresa: “Para una persona de fuera, parecería aberrante reprender al directivo responsable de una división que acumula beneficios (de miles de millones de dólares). Pero mi punto de vista no es ése. Es cierto que nuestras capacidades y nuestro esfuerzo nos han ayudado en nuestro éxito, pero debemos ser conscientes de que la mayor parte de dicho éxito proviene de las negligencias de las empresas líderes, de la pura suerte y del sacrificio de nuestros predecesores”2. A las órdenes de Lee, Samsung había logrado convertirse en el primer fabricante mundial de memorias para todo tipo de ordenadores personales, cámaras digitales, consolas de juegos y otros aparatos electrónicos. Tan sólo en 1987, Samsung no era más que un pequeño competidor, a años luz de sus principales rivales japoneses. Pero en 2003, la división de memorias de Samsung destacaba sobre sus rivales japoneses tanto en volumen como en beneficios. Samsung empleaba las ganancias de esta división para invertir en otros productos tecnológicos. En el año 2003, gracias a los teléfonos móviles, las pantallas de cristal líquido y los productos con componentes de memoria, Samsung había logrado el segundo mayor beneficio neto de todas las empresas electrónicas fuera de Estados Unidos. A pesar del éxito del que disfrutaba Samsung en aquel momento, a Lee le preocupaban las compañías de la China continental que estaban empezando a hacer la competencia a Samsung de la misma forma que Samsung le había hecho la competencia a las empresas japonesas veinte años antes. En 2005 se esperaba que el sector de los microprocesadores de memoria sufriera un declive cíclico, y El caso de LACC número 707S09 es la versión en español del caso de HBS número 9-705-508. Los casos de HBS se desarrollan unicamente para su discusión en clase. No es el objetivo de los casos servir de avales, fuentes de datos primarios, o ejemplos de una administración buena o deficiente. Copyright 2005 President and Fellows of Harvard collage. No se permitirá la reproducción, almacenaje, uso en planilla de cálculo o transmisión en forma alguna: electrónica, mecánica, fotocopiado, grabación u otro procedimiento, sin permiso de Harvard Business School

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aunque Samsung había superado los dos últimos ciclos bajistas con los mejores resultados de todo el sector, algunos analistas externos pensaban que la entrada de China podría cambiar radicalmente las condiciones del sector en los próximos años.

El sector de memorias La importancia económica del sector de los semiconductores había crecido a lo largo de las cinco últimas décadas. En 2000, se habían alcanzado unas ventas globales de doscientos mil millones de dólares estadounidenses, y el sector crecía a una media anual del dieciséis por ciento desde 19603. Dentro de los semiconductores, los productos se englobaban en dos grandes categorías de microprocesadores: los microprocesadores de memoria y los microprocesadores lógicos. Los microprocesadores lógicos se empleaban para procesar información y para el control de procesos, y los microprocesadores de memoria almacenaban información. Los microprocesadores de memoria pasaron a clasificarse más adelante en tres tipos: memorias DRAM (siglas inglesas de “memoria dinámica de acceso aleatorio”), memorias SRAM (siglas inglesas de “memoria estática de acceso aleatorio”) y memorias Flash. Este estudio de caso práctico se centra en el sector mundial de microprocesadores de memoria, cuyas ventas en 2003 alcanzaron los 33.700 millones de dólares. Las ventas de memorias DRAM suponían algo más de la mitad del volumen del mercado de los microprocesadores de memoria en el año 2003. Tradicionalmente, las memorias DRAM se habían empleado sobre todo en los ordenadores personales, pero la proporción de memorias de este tipo que se destinaba a este uso había descendido del 80 al 67 por ciento entre 1990 y 2003. En 2003 tanto el mercado de las telecomunicaciones como el de los aparatos electrónicos de consumo demandaban cada vez más memorias DRAM. Las previsiones apuntaban a que el peso específico de los productos relacionados con las comunicaciones, como teléfonos móviles, conmutadores y anillos centrales como destino de memorias DRAM, iba a crecer del 3,5 al 7,9 por ciento en 2008; los aparatos de televisión, los módulos de conexión y las consolas de videojuegos, como la PlayStation, suponían en 2003 el 7 por ciento de este mercado. Entre los demás tipos de microprocesadores de memoria, las memorias SRAM y Flash representaban en 2003 el 10 y 32 por ciento, respectivamente, de las ventas del sector. La memoria SRAM era un tipo de memoria intermedia que facilitaba los procesos de los ordenadores y las funciones de los teléfonos móviles. La memoria Flash, que era el producto con un mayor crecimiento, se empleaba mucho en cámaras digitales y teléfonos móviles. Mientras que las memorias DRAM perdían la información cuando se cortaba la alimentación de energía, las memorias Flash podían seguir almacenando datos aunque no recibieran corriente. El sector de las memorias contaba con proveedores muy poderosos y con clientes que daban mucha importancia a los precios. Con cada nueva generación de equipos de semiconductores, la tecnología se hacía más compleja y se reducía el número de proveedores. Entre sólo dos o tres grandes empresas, entre ellas Applied Materials, Tokyo Electrón y ASML, dominaban los segmentos clave del mercado de equipos. Los proveedores de materias primas para la fabricación de memorias ofrecían descuentos de hasta el 5% a los compradores de grandes volúmenes. Los clientes se encontraban mucho más fragmentados, no habiendo en 2005 ningún fabricante de equipos originales que controlara más del 20% del mercado mundial de ordenadores personales. Las memorias suponían entre el 4 y el 12 por ciento de los costes de material para un fabricante de ordenadores personales originales, y entre el 4 y el 7 por ciento de los costes de material para un fabricante de teléfonos móviles. Debido a la gran rivalidad que existía entre los fabricantes de ordenadores personales y también a que los fabricantes de ordenadores personales tenían que tratar con clientes que daban mucha importancia a los precios, los fabricantes de equipos originales negociaban muy duramente los precios. Sin embargo, también influía mucho el hecho de que una memoria defectuosa

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podía arruinar el valor de todo el producto. Y dado que las memorias defectuosas eran muy difíciles de detectar, los fabricantes de equipos originales estaban dispuestos a pagar hasta un 1% más de media en el precio a un proveedor fiable4. En 2005, el sector sufrió una dura competencia y la llegada masiva de las empresas chinas. A finales de 2004, Samsung había anunciado que en 2005 se iba a producir una bajada considerable de los precios de mercado. La reducción de precios se debía en parte a un aumento de la capacidad del sector y en parte a un declive cíclico normal. Mientras Samsung lograba comercializar con éxito nuevos tipos de microprocesadores de memoria de última generación, las empresas chinas que competían en las líneas de producto más antiguas estaban dispuestas incluso a renunciar a los beneficios con tal de lograr mayor cuota de mercado. Aunque los costes de construcción de una nueva fábrica habían aumentado de 200 millones de dólares en 1985 a 3.000 millones de dólares en 2004, las empresas chinas no estaban encontrando muchas dificultades para conseguir el dinero de fuentes nacionales e internacionales. Las sociedades chinas se habían encontrado con enormes dificultades incluso para comenzar a fabricar productos de vanguardia, ya que carecían de la experiencia necesaria en cuanto a la organización y a los conocimientos tácitos necesarios para controlar el proceso de diseño y fabricación. Aún así, gracias a su facilidad para acceder a la financiación exterior y a la profesionalidad de sus ingenieros nacionales, los chinos lograron estos conocimientos y capacidades en la década siguiente. En 2005, no existía ninguna alternativa eficaz que pudiera hacer la competencia a las memorias DRAM o Flash. Sin embargo, a pesar de que los beneficios de los nuevos tipos de memoria eran muchas veces únicamente teóricos, se empezaba a pensar en las memorias basadas en la nanotecnología. Si las pequeñas empresas pioneras del sector llegaban alguna vez a crear nuevos tipos de tecnología, la opinión de los analistas externos era que las empresas consolidadas del sector se iban a concentrar en los diseños ya establecidos y en los métodos de fabricación ya conocidos, y que tendrían una reacción demasiado lenta ante el cambio tecnológico.

El proceso de fabricación de los semiconductores Los semiconductores se empleaban para desempeñar una función determinada en un dispositivo electrónico (para almacenar datos o bien para procesar datos). Una vez que los diseñadores habían confeccionado un proyecto según la función que se persiguiera, la forma física del microprocesador se plasmaba en una plantilla que podía utilizarse para fabricar microprocesadores idénticos. Aparte, se moldeaba un lingote cilíndrico de silicio del diámetro deseado (en 2005 era de unos treinta centímetros), y a continuación este lingote se cortaba en obleas que eran increíblemente delgadas (tan sólo de entre 250 y 350 micras de espesor, más finas que un cabello humano). A continuación, empresas como Samsung Electronics empleaban estas obleas para fabricar microprocesadores de memoria mediante una serie de procesos térmicos, metalúrgicos y químicos. Durante este proceso de fabricación se definían miles de millones de circuitos electrónicos dentro de varios microprocesadores individuales (también llamados “dados”) sobre la oblea de treinta centímetros. El resultado de este proceso de fabricación era la creación de una matriz de microprocesadores rectangulares sobre la oblea. Por último, las obleas se cortaban para obtener los microprocesadores individuales. Durante todo el proceso de producción se comprobaba la fiabilidad de los microprocesadores. Uno de los principales objetivos del fabricante de microprocesadores de memoria era producir la mayor cantidad posible de chips en un solo paso al tiempo que se minimizaba el número de microprocesadores defectuosos. Para cumplir este objetivo, los fabricantes realizaban mejoras en cuanto al diseño y a los procesos que permitieran, por una parte, que cupieran cada vez más circuitos electrónicos en microprocesadores de tamaño cada vez menor y, por otra, garantizaran una mayor uniformidad en el proceso de fabricación5. Apenas una vez cada década, las nuevas tecnologías habían permitido a los fabricantes de microprocesadores de memoria trabajar con obleas de mayor tamaño de forma que en cada paso de fabricación se pudieran recortar más microprocesadores. Aparte de esto, los fabricantes de microprocesadores de memoria invertían en tecnología para 3

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mejorar los procesos de forma que se enviaran cada vez menor número de microprocesadores defectuosos al fabricante de equipos originales.

Principales competidores del sector de memorias en 2005 En este apartado se analizan los principales competidores de Samsung en el sector de microprocesadores de memoria en 2005 (las empresas figuran por orden alfabético). Los resultados económicos de Samsung y de los competidores que cotizan en Bolsa se recogen en el Anexo 1.

Elpida Memory, Inc. Elpida, única sociedad japonesa que seguía fabricando memorias DRAM, había surgido como una empresa conjunta constituida por NEC y Hitachi en diciembre de 1999. En sus tres primeros años de vida, Elpida tuvo que afrontar un período de pérdidas económicas debido a un declive en el mercado de las memorias DRAM, así como la decisión de no invertir en nuevos productos ni en nueva capacidad para productos hasta que el mercado se recuperara. Más adelante, Elpida decidió concentrarse en el desarrollo de productos relacionados con las memorias para dispositivos móviles y aparatos electrónicos de consumo. De esa forma, Elpida podía intentar vender principalmente a clientes japoneses que hasta entonces habían comprado los microprocesadores de memoria a Samsung y a Micron. En junio de 2004, Elpida anunció el inicio de la construcción de su segunda fábrica de obleas de 30 centímetros cerca de sus actuales instalaciones de producción en Hiroshima. El coste de las nuevas instalaciones fue de 4.500 millones de dólares, y Elpida financió parcialmente la nueva planta mediante una inversión de Intel de 100 millones de dólares y una emisión pública de acciones.

Hynix Semiconductor, Inc. Esta empresa con sede social en Corea del Sur fue constituida en el año 1983 como Hyundai Electronics, y cambió su razón social en 2001 cuando se separó del grupo Hyundai, que atravesaba graves dificultades financieras. A principios de los años noventa, Hynix se benefició de algunas de las ventajas de costes que también estaba logrando su competidora coreana Samsung, pero perdió el liderazgo tecnológico. Por otro lado, Hynix tuvo dificultades para sincronizar sus inversiones de capital a la hora de aprovechar los nuevos avances del mercado. En 1996, año en el que el mercado de las memorias DRAM estaba experimentando un declive cíclico, Samsung mantuvo los gastos de capital mínimos imprescindibles para un desarrollo fluido de las operaciones, mientras que Hynix aumentó de forma drástica sus inversiones de capital cuando se estaba produciendo la fase de recesión. Hynix perdió aún más terreno frente a Samsung en 1999 cuando el mercado empezó a crecer de forma importante. Samsung aumentó sus inversiones de forma significativa respondiendo de forma rápida al crecimiento del mercado, mientras que Hynix de hecho redujo sus inversiones de capital6. En 1999, Hyundai Electronics compró LG Semiconductor, la unidad de semiconductores del Grupo LG. Esta adquisición lastró a Hyundai Electronics con la enorme deuda de LG Semiconductor, lo que unido a un declive cíclico en el sector arrastró a Hynix a estar próxima a la quiebra entre 2001 y 2002. Una ayuda financiera de varios miles de millones de dólares permitió que la empresa pudiera sobrevivir. Aún así, Hynix se vio obligada a despedir al 30 por ciento de su plantilla y a vender todas las divisiones de negocio no fundamentales. Hace poco, Hynix constituyó una empresa conjunta con ST Microelectronics con el fin de construir unas instalaciones de fabricación de memorias cerca de Shangai, en China. Además, en abril de 2005 Hynix tuvo que pagar 185 millones de dólares en concepto de sanción impuesta por el Ministerio de Justicia de Estados Unidos que le acusaba, junto al resto de fabricantes 4

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de memorias, de conspirar para alterar el precio de éstas en ese país entre abril de 1999 y junio de 2002. A cambio de denunciar dicha infracción ante la justicia estadounidense, el Ministerio de Justicia se había comprometido a absolver a la empresa Micron. En septiembre de 2004, la empresa Infineon hizo frente a sus cargos en el sumario mediante el pago de una multa de 160 millones de dólares7. En diciembre de 2004, Samsung realizó una provisión de 100 millones de dólares en concepto de contingencias para cubrir un posible pago futuro. Toda la información fundamental que se ha manejado para la elaboración de este estudio de caso práctico corresponde al año 2003, en el que según la causa judicial del Ministerio de Justicia estadounidense la supuesta cooperación para alterar los precios del sector ya había cesado.

Infineon Technologies AG La empresa Infineon, con sede social en Alemania, se escindió de Siemens en el año 1999. Siemens había estado en el negocio de los semiconductores desde que se creó este sector. A lo largo de la historia de la empresa, la unidad de semiconductores de Siemens se había aliado con otras empresas del sector para reducir el riesgo de inversión y acortar el plazo de lanzamiento de los productos al mercado. Gracias a esta confianza en las alianzas estratégicas, la empresa siempre había conseguido permanecer cerca del grupo de cabeza del sector. En los últimos años, Infineon había formalizado un contrato sobre capacidad y compra de productos con el fabricante de memorias DRAM de Taiwán Winbond, por el cual Infineon se comprometía a conceder a Winbond la licencia sobre su tecnología de memorias DRAM de 0,11 um a cambio de la producción resultante de la utilización de dicha tecnología. Infineon también constituyó una sociedad conjunta con la empresa taiwanesa Nanya Technology con el propósito de construir una nueva planta en Taiwán. En los años inmediatos, Infineon tenía previsto invertir 1.500 millones de dólares (más de la mitad de su presupuesto de capital) en Asia. En 2005, Infineon contaba con más de veinticinco centros de I + D repartidos por todo el mundo.

Micron Technology La empresa Micron, con sede social en Boise, en el estado de Idaho (EE UU), se constituyó en el año 1978. Vendió su primer producto DRAM fabricado en sus propias instalaciones en 1982, y en 1984 empezó a cotizar en Bolsa. Micron era el único fabricante estadounidense que quedaba en este sector, y había multiplicado su negocio de memorias principalmente a través de adquisiciones. En 1998, Micron compró el negocio de microprocesadores de memoria de Texas Instruments, incluidas sus fábricas en Texas, Italia, Japón y Singapur. Posteriormente, Micron compró Dominion Semiconductor, una filial de Toshiba con sede en Virginia (EE UU). A lo largo de sus veintiséis años de existencia, Micron había atravesado muchos períodos de dificultades económicas graves. A partir de finales de los noventa, Micron se deshizo de muchas de sus divisiones no relacionadas con las memorias DRAM y redujo su personal en un diez por ciento. En 2003, Micron ya estaba concentrada casi completamente en la fabricación de memorias DRAM (lo que representaba el 96% de sus ventas). En septiembre de 2003, Micron recibió una inversión por parte de Intel de 500 millones de dólares, y la empresa acordó destinar este dinero a invertir en tecnologías DRAM de nueva generación.

Nanya Technology Corporation La empresa Nanya, con sede social en Taiwán, era el quinto mayor fabricante de memorias DRAM del mundo, y contaba con dos plantas de fabricación. En 1998, Nanya compró la actual generación de tecnología DRAM a IBM Corporation. En diciembre de 2002, Nanya e Infineon pusieron en marcha el desarrollo de una nueva generación de tecnología para mejorar los procesos. Ambas sociedades constituyeron una empresa conjunta con la denominación de Inotera, e invirtieron entre las dos un

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total de 2.200 millones de dólares destinados a una gran instalación de fabricación cerca de Taipei. Inotera comenzó a fabricar memorias DRAM de 256 Mbit en junio de 2004.

Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) La empresa SMIC, constituida en el año 2000 y con sede social en Shangai, era la mayor empresa de fundición de China, y fabricaba productos de lógica y de memoria, incluidas las memorias DRAM. Las empresas de fundición no diseñaban los microprocesadores, como hacía Samsung, sino que utilizaban los diseños de otras sociedades para fabricar los microprocesadores a partir de sus maquetas. En 2003, SMIC e Infineon firmaron un acuerdo por el cual Infineon concedía a SMIC la licencia para emplear su tecnología y a cambio adquiría los derechos sobre una parte importante de la producción. SMIC también hizo una alianza similar con la empresa japonesa Elpida. Con el fin de aumentar su capacidad de producción, SMIC compró a Motorola una planta de fabricación en China en octubre de 2003 por 1.000 millones de dólares. Como parte de este acuerdo, Motorola adquirió una participación minoritaria en SMIC y también se comprometió a conceder a su socio chino la licencia para emplear su tecnología a cambio de la adquisición exclusiva de su capacidad productiva. Los ingresos de SMIC habían aumentado de 50,3 millones de dólares en 2002 a 365,8 millones de dólares en 2003. En marzo de 2004, la empresa empezó a cotizar simultáneamente en los mercados bursátiles de Nueva York y de Hong Kong. Aunque SMIC era el único fabricante chino de memorias DRAM, otros productores chinos ya se habían introducido en otros mercados de semiconductores para microprocesadores lógicos. En 2005, muy pocos fabricantes chinos seguían teniendo todavía capacidad para realizar su propio diseño, y fabricaban sus microprocesadores bajo licencia de otras empresas consolidadas utilizando para sus procesos tecnología atrasada en una o dos generaciones. Aún así, debido a la cantidad de recursos que habían captado de inversores chinos y extranjeros, estos nuevos competidores chinos se podían permitir el lujo de vender sus productos a bajo precio y aumentar su cuota de mercado a costa de la rentabilidad. En 2005, entre estos fabricantes chinos de microprocesadores lógicos se encontraban Advanced Semiconductor Manufacturing Corp. (ASMC), de Shangai, Grace Semiconductor Manufacturing Corp., HeJian Technology (Suzhou) Co. y Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co. Grace Semiconductor, fundada en 2000 y uno de cuyos fundadores era el hijo del anterior dirigente chino Jiang Zemin, comenzó la fabricación de microprocesadores lógicos en 2003, después de conseguir más de 1.600 millones de dólares8. La suma total de las ventas de los fabricantes chinos se elevó en 2003 hasta los 771 millones de dólares, frente a sólo 354 millones de dólares en 20029. Este aumento se debía atribuir principalmente a SMIC, el fabricante más avanzado del país, y a los otros dos principales fabricantes (Shanghai Hua Hong NEC Electronics y ASMC), que en conjunto eran responsables en 2003 del 84 por ciento de la producción china de semiconductores10. En 2004, China contaba con el cuatro por ciento de la capacidad mundial de fabricación de microprocesadores, pero se esperaba que esa cifra hubiera aumentado en 2007 hasta el nueve por ciento11. Aunque el resto de fabricantes chinos, aparte de SMIC, se había concentrado hasta ese momento en los microprocesadores lógicos, cabía la posibilidad de que cualquiera de ellos se introdujera en el mercado de los microprocesadores de memoria en cualquier momento.

Samsung Electronics: análisis general de la empresa En 2005, el Grupo Samsung, dentro del cual se encontraba la sociedad Samsung Electronics, constituía el mayor grupo de empresas (denominado chaebol) de Corea del Sur. Las ventas netas totales del Grupo Samsung habían alcanzado en 2004 los 135.000 millones de dólares estadounidenses. Ese mismo año el Grupo contaba con 337 delegaciones en 58 países y daba empleo a

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unas 212.000 personas en todo el mundo. Las tres principales áreas de negocio dentro del Grupo eran la electrónica, las finanzas y el comercio y servicios. La sociedad Samsung Electronics, a la que en adelante llamaremos simplemente “Samsung”, fue constituida en el año 1969 con el objeto de fabricar aparatos de televisión en blanco y negro. A finales de 2004, la compañía tenía unas ventas netas de 78.500 millones de dólares, unos activos de 66.000 millones de dólares y una plantilla de 113.000 empleados. Según los datos de Interbrand, el valor de la marca de la empresa aumentó de 5.200 millones de dólares en 2000 (lo que suponía ocupar el puesto cuarenta y tres de todo el mundo) a 12.600 millones de dólares en 2004 (lo que suponía el puesto veintiuno de todo el mundo). En 2004, Samsung se mantuvo por delante de muchas marcas como Philips, Kodak o Panasonic. Sony, por ejemplo, se situó en el puesto veinte de esa misma clasificación. En 2005, Samsung estaba formada por cinco divisiones de negocio, entre las que se encontraba la unidad de Semiconductores que es objeto de este caso práctico. El resto de divisiones eran la unidad de Medios Digitales, que fabricaba televisores, equipos audiovisuales y ordenadores; la unidad de Telecomunicaciones, que fabricaba teléfonos móviles y equipos para redes; la unidad de Pantallas LCD, que fabricaba pantallas de cristal líquido para ordenadores portátiles, monitores de sobremesa y televisores de alta definición; y, por último, la unidad de Electrodomésticos Digitales, que fabricaba y vendía frigoríficos, aparatos de aire acondicionado y lavadoras. El organigrama de la empresa se muestra en el Anexo 2.

Evolución del negocio de las memorias El sector coreano de los semiconductores inició la fabricación de obleas de silicio en 1974, cuando una joven y pequeña empresa denominada Korea Semiconductor Company comenzó a fabricar obleas en octubre de dicho año. Sin una financiación sólida ni una tecnología propia específica, esta pequeña empresa pionera no tardó en encontrarse con problemas financieros. Kun Hee Lee, tercer hijo del fundador del Grupo Samsung, Byung Chull Lee (y que en ese momento era también presidente del Grupo), decidió comprar la compañía Korea Semiconductor empleando para ellos sus ahorros personales12. Kun Hee Lee consideró otras empresas coreanas con inversiones en el sector del acero y otras industrias pesadas, pero pensó que invertir en el sector de los semiconductores ofrecía un potencial de crecimiento mayor y la posibilidad de ir más allá de la industria tradicional e introducirse en el diseño y la comercialización de tecnologías avanzadas. En aquella época, la propia Samsung Electronics fabricaba aparatos electrónicos de consumo de gama baja. La empresa concentraba sus actividades en las cadenas de montaje intensivas en mano de obra, e importaba los semiconductores y otros productos avanzados del extranjero. Kun Hee Lee fusionó las dos empresas con la intención de crear un gigante mundial de los semiconductores y de los aparatos electrónicos de consumo. El primer semiconductor que desarrolló la joven empresa fue el “chip para reloj”, que se utilizaba en los relojes de pulsera. El entonces presidente de Corea del Sur, Jung Hee Park, estaba tan orgulloso de los logros de la empresa que hizo grabar su nombre en muchos de estos relojes. El presidente Park en persona entregaba estos relojes como obsequio a los dignatarios extranjeros que visitaban el país13. Durante la década de los ochenta, Kun Hee Lee convenció a su padre de que los semiconductores constituían el futuro del Grupo Samsung, y en este sentido Samsung Electronics se convirtió en la empresa estrella del Grupo, asignándosele la mayoría de los recursos del mismo. El Grupo quería entrar en el mercado de las memorias DRAM, que fue el segmento de mayor crecimiento dentro del sector de las memorias en las décadas de los ochenta y los noventa14. De esta forma, entre los años 1983 y 1985, aún cuando el mercado mundial de los semiconductores estaba sufriendo una recesión y la empresa Intel había abandonado el negocio de las memorias DRAM, Samsung asignó más de cien millones de dólares para el desarrollo de las memorias DRAM15. En aquel momento, el coste de producir un microprocesador sencillo de memoria DRAM de 64K era de 1,30 dólares, mientras que los precios de mercado del momento estaban por debajo de un dólar. Aún así, Samsung confiaba en 7

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que el crecimiento del mercado daría la razón a su estrategia de inversión, y por tanto el hecho de perder dinero durante los primeros años no disuadió al Grupo de seguir realizando inversiones adicionales. Las necesidades de capital de las empresas aumentaron en los últimos años de la década de los ochenta y primeros de los noventa, y los competidores japoneses se esforzaban por hacer las inversiones necesarias para poder competir en las nuevas generaciones de microprocesadores. A mediados de los ochenta, Samsung estaba construyendo su primer gran centro de fabricación. Construir las instalaciones para fabricar semiconductores era difícil y exigía mucho tiempo, ya que la maquinaria necesaria era muy sensible al polvo y a las descargas electrónicas. En aquel momento, el plazo normal para la construcción de una fábrica nueva era de año y medio. Sin embargo, la empresa pretendía completar esa misma tarea en sólo seis meses. Para ello, los equipos de obreros de la construcción trabajaron en turnos que cubrían las veinticuatro horas del día en medio de un crudo invierno coreano. Un hecho memorable acaecido durante el proceso de construcción fue la terminación de una carretera de cuatro kilómetros de longitud en un solo día. El día que se recibió desde el extranjero la mayor parte del equipo de fabricación, el equipo de instaladores de Samsung no se lo podía creer, ya que el mismo trayecto que por la mañana era un camino en obras se había convertido por la tarde en una carretera de dos carriles perfectamente asfaltada16. Los trabajadores manuales no fueron los únicos que demostraron estar dispuestos a trabajar las horas que hiciera falta por su compromiso voluntario con la misión de la empresa. En la década de los ochenta, la gran mayoría de los ingenieros que trabajaba en la investigación y desarrollo de las memorias DRAM reconocía que su horario de trabajo semanal cubría los días siguientes: lunes, martes, miércoles, jueves, viernes, viernes y viernes17. La empresa se convirtió en la principal fuente de valor del Grupo Samsung, y cuando el fundador del Grupo Byung Chull Lee se jubiló, cedió el control al actual presidente, (su hijo) Kun Hee Lee. Era una recompensa para la que Kun Hee Lee había hecho ya méritos suficientes al haber logrado convertir a Samsung Electronics en un competidor viable dentro del sector mundial de las memorias. Desde el año 1992, los semiconductores habían constituido la mayor fuente de exportación para Corea del Sur, y en 2004 las exportaciones totales de semiconductores de este país alcanzaron los 25.100 millones de dólares, nada menos que el 10,4 por ciento del volumen total de exportaciones del país. Sólo Samsung fue el responsable en 2004 del 22 por ciento de todas las exportaciones coreanas, y la empresa representaba el 23 por ciento de la capitalización bursátil total de la Bolsa de Valores de Corea18.

Evolución de las tecnologías Con el fin de diseñar y fabricar sus primeras memorias DRAM de 64 K en los años ochenta, Samsung tuvo que recurrir a tecnología externa. Los directivos de la empresa buscaron por todo el mundo una empresa que pudiera conceder a Samsung la licencia para utilizar su tecnología DRAM. De ese modo, descubrieron que la empresa estadounidense Micron estaba dispuesta a aceptar un pago en metálico a cambio de enseñar a Samsung cómo fabricar memorias DRAM de 64 K19. Para desarrollar tecnología de vanguardia para la nueva generación de memorias DRAM, Samsung creó lo que resultaba, en aquel momento, una inusual competencia interna entre los centros de I+D de todo el mundo. La empresa contrató un equipo compuesto principalmente por norteamericanos de origen coreano con una amplia experiencia en el sector de los semiconductores y destinó este equipo a California. Al mismo tiempo, Samsung organizó otro equipo de trabajo en Corea del Sur, también dirigido por dos norteamericanos de origen coreano con amplia experiencia en el sector20. Se pidió a los dos grupos que colaboraran, pero cada uno de ellos debía dar con su propia solución. El equipo de California fue el vencedor de la competición a la hora de diseñar la memoria DRAM de 256 K, pero en la siguiente generación de tecnología de 1 Mbit el vencedor fue el

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equipo de Corea21. En los años siguientes, la empresa creó grupos competidores para el desarrollo de productos de todas sus operaciones. Cuando a finales de los años ochenta se empezó a trabajar con las memorias DRAM de 4 Mbit, las empresas se enfrentaron a la decisión crítica de cómo encajar cuatro millones de células en un chip diminuto. Cada célula, un espacio donde almacenar información, estaba formada por un transistor y un condensador. Dentro del sector se debatían dos ideas posibles sobre cómo colocar más células en un microprocesador. Una de las ideas, denominada “apilamiento”, suponía desechar lo que había sido la construcción en un nivel sobre el microprocesador y sustituirlo por una estructura de células en forma de pisos. Cada nivel de células se apilaría sobre la anterior en la forma conveniente. La otra idea se denominaba “trincheras”, y consistía en horadar por debajo de la superficie del microprocesador y crear pisos por debajo del mismo. Las dos tecnologías presentaban ventajas e inconvenientes, y mientras IBM, Toshiba y NEC utilizaron el método de las trincheras, Matsushita, Fujitsu e Hitachi adoptaron el método de apilamiento. El presidente Lee era el responsable personal de tomar la decisión final, por lo que después de estudiar detenidamente la información eligió el método de apilamiento. Desde su punto de vista, el método de trincheras era demasiado complejo para su propio funcionamiento22. Si se descubría un problema en un microprocesador de tipo trinchera, era imposible mirar dentro para localizar dónde estaba el error porque todo estaba cubierto y carecía de acceso visual. Por el contrario, el proceso de apilamiento era simple y modular, lo cual hacía mucho más fácil localizar y reparar los errores. Posteriormente, IBM, Toshiba y NEC se encontraron con problemas en el sistema de trincheras, pero para entonces ya habían comprometido varios miles de millones de dólares en esa tecnología y habían creado rutinas de diseño que sólo funcionaban con el sistema de diseño de trincheras. Cuando estas empresas quisieron cambiar la tecnología al sistema de apilamiento, ya habían perdido años de trabajo en tareas de desarrollo. Mientras tanto, Hitachi se convirtió por un tiempo en el número uno del sector, y Samsung comenzó a acercarse cada vez más a Hitachi23. A principios de los años noventa, Samsung había entrado en el grupo de élite del sector. Pero Samsung aspiraba a ser la número uno, así que sus altos directivos idearon un plan para agrandar el tamaño de las obleas de las que posteriormente se recortaban los microprocesadores DRAM hasta sólo veinte centímetros24. Con una oblea más grande se podían recortar más microprocesadores al mismo tiempo. Ninguna otra empresa del sector estaba dispuesta a correr el riesgo de invertir en la fabricación a gran escala en el tamaño de veinte centímetros tan pronto. Aún faltaba mucho para saber si la tecnología de fabricación que se necesitaba era factible, pero Samsung siguió adelante con el proyecto e invirtió 1.000 millones de dólares para hacerse con el control de la nueva tecnología. La decisión dio sus frutos. Samsung logró la primera posición en cuota de mercado del sector de memorias DRAM en 1992, y mantuvo su liderazgo durante los treces años siguientes25. Este liderazgo se mantuvo durante las subidas y bajadas del mercado. En el Anexo 3 se muestra la evolución de los costes y los precios de Samsung a lo largo del tiempo en comparación con los de sus competidores durante el ciclo más reciente del sector (del primer trimestre de 2000 al primer trimestre de 2004).

Cartera de productos En el año 2003, Samsung ofrecía más de 1.200 variedades distintas de productos DRAM. Los productos DRAM siempre se habían considerado como una materia prima, por lo cual tener capacidad para fabricar 1.200 referencias distintas era algo sin precedentes en el sector de las memorias. Las gamas de producto iban desde los denominados “productos de vanguardia” (la memoria DRAM de 512 Mbit, por ejemplo) que incorporaban las últimas tecnologías, hasta los denominados “productos antiguos” (la memoria DRAM de 64 Mbit, por ejemplo) que Samsung seguía ofreciendo a sus clientes aunque el sector hubiera evolucionado a nuevas generaciones. Dentro de cada generación de productos existían también “productos especializados” (las memorias DDR2 9

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SDRAM y Rambus DRAM, por ejemplo) que utilizaban arquitecturas personalizadas diseñadas para demandas de mercados de nicho. En los Anexos 4 y 5 se compara la cartera de productos de Samsung con las de sus competidores. En el sector de los semiconductores los precios de los productos de nueva generación permanecían altos sólo durante sólo unos pocos trimestres antes de desplomarse rápidamente (Anexo 6). Sin embargo, ya pasada una generación, algunas líneas de productos antiguos podían convertirse en productos de nicho de gran valor. En 2003, por ejemplo, el precio de un microprocesador de 16 Mbit era de 19,04 dólares, mientras que el precio del microprocesador de 256 Mbit, más avanzado y más extendido, era únicamente de 4,65 dólares. En el Anexo 7a se muestra el conjunto de precios y estructuras de costes de Samsung en comparación con los de sus competidores en 2003. En los Anexos del 7b al 7e se comparan los precios y estructuras de costes en 2003 de los distintos competidores para cada distinta generación de productos: 64 Mbit, 128 Mbit, 256 Mbit y 512 Mbit. En los Anexos del 7f al 7i se comparan los precios y las estructuras de costes en 2003 por líneas de producto de la entonces popular generación de 256 Mbit. En los Anexos 7j y 7k se comparan los precios y las estructuras de costes en 2003 de los productos especializados de la generación de 128 Mbit. En 2004, Samsung también intentó obtener con la memoria Flash las mismas ventajas competitivas que había logrado con las DRAM. Como se muestra en el Anexo 8, Samsung pretendía trasladar parte de su capacidad de fabricación de las memorias DRAM a la memoria Flash. Mientras el mercado de las memorias DRAM aún seguía estrechamente ligado al crecimiento del mercado de ordenadores personales, el cual empezaba a ser un mercado maduro, con un crecimiento de cifras de un solo digito, la memoria Flash dependía del crecimiento de los mercados de cámaras digitales y de teléfonos móviles con cámara fotográfica. Se esperaba que el mercado de la memoria Flash tuviera un fuerte crecimiento durante al menos otros cinco años. Gracias a este crecimiento se esperaba que los precios de las memorias Flash se mantuvieran bastante altos en comparación con los de las memorias DRAM26. El presidente de Samsung Semiconductors propuso una nueva “Ley de Hwang” que superara la teoría de Gordon Moore. En 1965, Moore predijo que la densidad de semiconductores se duplicaría cada dieciocho meses; su teoría resultó cierta durante los cuarenta años siguientes. Chang Gyu Hwang, director de la división de Memorias de Samsung, propuso la Ley de Hwang, que sostenía entre otras cosas que la densidad de memorias Flash se duplicaría cada doce meses. Además, Hwang pronosticó que Samsung sería la encargada de alcanzar sistemáticamente ese objetivo durante los años siguientes27. En el Anexo 9 se ofrece un resumen de los resultados obtenidos por Samsung en el ámbito de la memoria Flash.

Diseño y fabricación A diferencia de sus competidores, Samsung trataba de crear nuevos usos para sus memorias DRAM poniendo sus actividades de fabricación y de I+D al servicio de empresas de diseño como Rambus. Con el paso del tiempo, Samsung había lanzado nuevos productos DRAM con aplicaciones específicas de productos en ordenadores portátiles y consolas de videojuegos, por ejemplo. Muchas de estas aplicaciones tenían un diseño básico común. Incluso dos arquitecturas aparentemente distintas, la memoria DDR DRAM y la Rambus DRAM, tenían el mismo diseño básico. La diferencia entre ellas era que la memoria Rambus contaba con un componente mejorado, una interfaz de alta velocidad de entrada y salida (E/S), lo que obligaba a Samsung a realizar un trabajo de diseño adicional para conectar el diseño principal de la memoria DRAM a la interfaz de alta velocidad de tipo E/S. Samsung siempre buscó por todos los medios personalizar sus productos en torno a un diseño básico. El principal centro de I+D de Samsung y todas sus líneas de fabricación se encontraban en un único emplazamiento al sur de Seúl (Corea del Sur). Por el contrario, las instalaciones de sus competidores estaban repartidas por todo el mundo28. Gracias al consiguiente ahorro logístico y a las economías de escala de sus inversiones de fabricación, se calculaba que Samsung podía haberse 10

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ahorrado una media del 12 por ciento en los costes de construcción de las fábricas. En el recinto principal de investigación de Samsung, los ingenieros de I+D y los ingenieros de fabricación convivían en las mismas viviendas facilitadas por la empresa. Coincidían a diario en las comidas, y sus lugares de trabajo se encontraban próximos, de forma que podían resolver con rapidez los problemas de ingeniería, tanto en el diseño como en los procesos, de forma conjunta. El emplazamiento estaba situado en un terreno explanado en plena montaña, en un lugar donde el aire era totalmente puro y sin un rastro de polvo ni otras partículas contaminantes. El terreno tenía una extensión de varios kilómetros y conservaba el arbolado en su mayor parte. En sus fábricas, Samsung producía varias arquitecturas de producto en cada línea de fabricación. Los ingenieros de procesos habían resuelto de forma brillante el problema de modificar sus equipos de fabricación para todo tipo de contingencias. Como para cualquier fabricante de semiconductores, la rentabilidad de producción de Samsung dependía del número de microprocesadores no defectuosos que se pudieran recortar de una oblea, lo cual a su vez dependía totalmente del tamaño de la oblea y de la precisión de las normas de diseño que se utilizaran para cortar la oblea. Samsung tenía capacidad para incorporar y aprender nuevas normas de diseño y a continuación aplicar esas nuevas pautas a la fabricación de todas las clases de producto (incluidos algunos productos antiguos). En los Anexos del 10a a 10c se comparan los distintos tamaños de oblea, las normas de diseño y la rentabilidad de Samsung con relación a sus competidores. Samsung presumía de la fiabilidad de sus productos y de su capacidad para personalizar productos a la medida de las necesidades de los clientes. Durante los años ochenta y parte de los noventa, Lee había comprobado que su empresa estaba fabricando algunos productos de muy mala calidad29. En 1994, envió un manual a todos los empleados en el que explicaba que el Grupo Samsung había perdido el camino de la calidad porque su negocio había empezado hacía cincuenta y cinco años vendiendo materias primas como azúcar y tejidos en un mercado coreano en crecimiento. Lee exponía que en ese momento los empleados debían pensar por encima de todo en la calidad30. Lee también ordenó quemas masivas de productos de mala calidad de Samsung, lo cual supuso la destrucción de decenas de millones de dólares en productos con algún defecto se quemaron al aire libre, al tiempo que el propio Lee reconvenía a sus empleados con tono de predicador sobre la atención que debían prestar a la calidad. A finales de los años noventa, la empresa ganó sistemáticamente los principales concursos de fiabilidad del sector. Antes de 1995, la empresa había ganado un concurso importante. Entre 1995 y 2003, la compañía obtuvo distinciones por su fiabilidad y sus resultados por parte de la mayoría de sus grandes clientes. Muchos clientes, incluso algunos que eran rivales entre ellos, eligieron a Samsung como proveedor favorito. Así, por ejemplo, la empresa estaba desarrollando al mismo tiempo un nuevo microprocesador de memoria Flash para Sony Ericsson y un microprocesador de memoria Flash personalizado para Nokia.

Políticas de recursos humanos Tradicionalmente, las empresas coreanas contrataban muy a menudo empleados por provenir del centro de enseñanza apropiado o de la región adecuada, pero Samsung intentó erradicar esta costumbre. En Samsung estaba muy mal visto preguntar a un compañero de trabajo acerca de su universidad o sobre su región de origen31. Los candidatos a empleados debían pasar un examen de aptitud que incluía pruebas de conocimiento de idiomas, de formación matemática, de razonamiento y de percepción espacial. Samsung también trató de desmontar el sistema tradicional de promoción basado únicamente en la antigüedad, aún muy extendido en Asia. Los empleados recibían una calificación anual en una escala que iba de la A a la D, y únicamente los trabajadores que obtuvieran dos “A” en el plazo de tres años podían optar a la promoción. Gracias a este sistema de evaluación centrado más en los méritos, muchos directivos más jóvenes, con gran potencial y que hablaban inglés pronto ascendieron en el organigrama de la empresa. De entre los directivos de mayor rango de la compañía, algunos habían alcanzado sus cargos actuales recién cumplidos los cuarenta años, y 11

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de esta forma habían dejado atrás a otros empleados de más edad que podrían haber alcanzado con anterioridad ese nivel gracias a su antigüedad. Samsung también puso en marcha programas para invertir en la formación de sus empleados en gestión internacional. El denominado “programa de especialistas regionales”, por ejemplo, destinaba a empleados con alto potencial a un país extranjero para aprender el idioma y la cultura locales durante un año. A su regreso, el “especialista regional” elaboraba informes sobre sus experiencias, que pasaban a formar parte de una base de datos codificada de conocimientos. Samsung financiaba cientos de cursos MBA y de doctorado en el extranjero para sus empleados. Al contrario que otras empresas coreanas, Samsung seleccionaba continuamente profesionales cualificados extranjeros, incluyendo occidentales y coreanos que habían participado en los grandes movimientos migratorios del país y habían abandonado Corea hacía mucho tiempo para vivir y trabajar en Estados Unidos y Europa. Después de contratar a un alto directivo norteamericano a finales de los años noventa, el consejero delegado de Samsung, Jong Yong Yun, temió que la empresa podía resentirse de esta nueva incorporación, la de un extraño que no sabía hablar coreano correctamente. Yun declaró entonces: “A algunos de vosotros os gustaría subirlo a lo alto de un árbol y después tirarlo de allí. ¡Si alguien lo intenta, se deberá atener a las consecuencias!”32. El consejero delegado logró convencer a sus directivos para que aceptaran al extranjero. En muchos puestos de alta responsabilidad de Samsung Electronics podía encontrarse personal internacional incorporado a la empresa que había trabajado anteriormente en importantes empresas tecnológicas estadounidenses. Entre los casos más destacables estaban los de Chang Gyu Hwang, actual presidente de la división de Semiconductores de Samsung, Oh Hyun Kwon, director de la división del Sistema LSI de Samsung, y Dae Je Chin, hasta hacía poco presidente de la división de Medios Digitales de Samsung y actual ministro coreano de Información y Comunicaciones. Más recientemente, el presidente Lee había creado el denominado “grupo de estrategia global” de Samsung, destinado a captar profesionales cualificados de todo el mundo para la organización. Este grupo de estrategia global constituía un recurso corporativo que ayudaba a resolver problemas de la empresa en cada una de sus unidades de negocio y formaba a los directivos internacionales para ocupar puestos de responsabilidad. David Steel, que era el directivo occidental de más alto nivel de Samsung, entró en el grupo de estrategia global en el año 1997. Posteriormente, Steel fue ascendido al puesto de vicepresidente de Desarrollo de Negocios de la división de Medios Digitales. Samsung también presumía de invertir en sus empleados más que casi cualquier otra empresa competidora del sector. Cuando Lee fue nombrado presidente del Grupo en el año 1987, declaró en el discurso de su nombramiento: “¿Qué es lo que preocupa a nuestros empleados cuando abren la puerta de sus casas para ir al trabajo? Probablemente más del noventa por ciento pensará en su salud y la de su familia, en la educación de sus hijos y en su jubilación”. En consecuencia, Lee propuso que la empresa se hiciera cargo del 90% de estos gastos, de forma que ellos pudieran concentrarse en la innovación y la productividad. Lee también declaró que la empresa recompensaría generosamente a los trabajadores por su rendimiento, pero al mismo tiempo no despediría a nadie por sus errores. En el manual de la empresa declaraba lo siguiente: “Fijémonos en el ejemplo del adiestrador de caballos: un buen adiestrador nunca utiliza el látigo ni la fusta, sino únicamente zanahorias como recompensa. En Samsung, premiamos los resultados extraordinarios; no castigamos los errores. Esta es mi filosofía personal y en lo que creo. Sólo se debe castigar a aquéllos que carecen de ética profesional, que no actúan honestamente, que faltan a la verdad, que perjudican a otros o que se oponen al avance de todo el grupo”33. En 2003, el sueldo medio en Samsung era de 44.000 dólares; este mismo dato para Micron, Infineon, Hynix y SMIC se calculaba en unos 54.000, 72.400, 24.600 y 10.800 dólares estadounidenses, respectivamente. En 2005, además del sueldo base, Samsung ofrecía tres tipos distintos de incentivos

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en función de los resultados. El primer tipo, denominado incentivos por proyecto, premiaba a los miembros de un proyecto fuera cual fuera su puesto dentro del mismo con gratificaciones extraordinarias en metálico cuando un proyecto finalizaba con éxito, como por ejemplo el lanzamiento de la memoria DDR2. Los incentivos por proyecto podían oscilar entre unos pocos miles de dólares y más de un millón de dólares para el equipo responsable de un proyecto determinado. El segundo tipo, los incentivos por productividad, premiaba a los empleados por los resultados de toda una división (la división de Memorias, por ejemplo), pero estos incentivos se podían modificar para cada departamento o equipo de la división en función de sus resultados y su contribución. Los incentivos por productividad podían suponer hasta un 300% del salario base anual. La tercera clase de incentivos, que consistía en un programa de participación en los beneficios, premiaba a cada miembro de una división, y podía llegar a suponer hasta el 50% del salario base anual dependiendo de los resultados de la división medidos por el valor añadido económico logrado por dicha división. Samsung adoptó procedimientos que favorecían el debate y que alentaban a que todos los empleados buscaran soluciones consensuadas. Por ejemplo, antes de decidir cómo diseñar y fabricar un nuevo producto, la empresa animaba a todos los profesionales, desde los de menor nivel y los ingenieros hasta los más altos directivos, para que debatieran intensamente, y a todos se les pedía encarecidamente que expresaran sus opiniones. Después de tener en cuenta todos los puntos de vista, los altos directivos tomaban la decisión final, y se esperaba que todos trabajaran para lograr el objetivo común.

Retos estratégicos En el año 2005, ¿había cambiado el entorno competitivo de forma sustancial?, y ¿hacía necesario este cambio que Samsung modificara su estrategia? La empresa se enfrentaba a nuevas amenazas por la incorporación de los nuevos competidores chinos que estaban irrumpiendo en el mercado de las memorias DRAM de una forma muy similar a como lo hiciera Samsung hacía veinte años. Estas empresas se valían de alianzas para aprender de empresas veteranas en el sector como Infineon o Elpida, y estaban captando miles de millones de dólares en financiación externa para construir instalaciones de fabricación equipadas con las últimas tecnologías. Al igual que Samsung en los años ochenta, estos fabricantes chinos estaban dispuestos a soportar años de pérdidas para lograr una cuota de mercado significativa. En el Anexo 11 se muestran datos estadísticos en los que se evalúa la capacidad tecnológica del sector chino de semiconductores. Aunque el gobierno estadounidense había prohibido a los fabricantes nacionales exportar equipos avanzados de semiconductores a China y el gobierno de Taiwán había prohibido a sus empresas exportar tecnología de fabricación de última generación a China, esto sólo iba a significar un pequeño obstáculo temporal para la trayectoria de China. En vez de adquirir equipos de Taiwán o Estados Unidos, los fabricantes chinos simplemente los compraban a otros países. China carecía de la infraestructura fundamental que le permitiera mantener un sector de semiconductores que incorporara las últimas tecnologías, pero el gobierno se había comprometido firmemente a subvencionar todas las infraestructuras necesarias en los alrededores de Shangai y Beijing. El gobierno chino estaba en disposición de ofrecer financiación barata, suelo en abundancia, suministros públicos baratos, ingenieros cualificados, incentivos fiscales y otros recursos fundamentales para cualquiera que quisiera construir una instalación de semiconductores con las últimas tecnologías con un socio chino34. Una de las posibilidades con las que contaban los directivos de Samsung en 2005 era colaborar de forma activa con un socio chino. Se esperaba que en 2010 China se convirtiera en el segundo mayor comprador mundial de semiconductores, detrás de Estados Unidos35. A pesar del hecho de que todo el sector de microprocesadores de memoria había estado creciendo de forma moderada en el último año, los principales fabricantes se contuvieron a la hora de hacer nuevas inversiones de importancia en China. Aún así, si el crecimiento del sector se disparara repentinamente, los analistas de Nikkei 13

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Electronics Asia preveían que los principales fabricantes de memorias DRAM recurrirían a socios chinos para desarrollar inversiones conjuntas36. El riesgo de trabajar con fabricantes chinos era que los derechos de propiedad intelectual aún no contaban con una protección completa, por lo que compartir proyectos y conocimientos expertos con un socio chino podía llevar a que en algún momento el socio se convirtiera en rival. Además, si la ventaja competitiva de Samsung se había logrado creando una cultura de empresa única en su centro principal de actividades de I+D al sur de Seúl, ¿no pondría en peligro la supervivencia de esa cultura única el hecho de trasladar la fabricación a China? Una opción alternativa que tenía Samsung era potenciar sus inversiones en productos de memoria de vanguardia, sobre todo buscando nuevos nichos de mercado. Si Samsung era líder del mercado en cuanto a bajos costes y productividad, muchos pensaban que Samsung no debía enseñar a los competidores chinos cómo lograr costes más bajos y ser más productivos. Al contrario, Samsung debía posiblemente ceder el segmento más bajo del mercado a los chinos al tiempo que intentaba desarrollar otros productos de nichos de mercado de valor más elevado. ¿Cómo debían reaccionar el presidente Lee y el equipo de alta dirección de Samsung ante la amenaza de la competencia china?

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1987

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91 69 5 -23 -1 9 45 35 5 129

3006 2586 22 44 143 103 598 495 61 1383

1988

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301 100 9 98 142 164 24 -141 1 388

4427 3735 38 149 371 199 1786 1587 89 3370

1989

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

446 192 21 106 165 161 51 -110 -15 625

5896 4550 136 233 1115 80 2019 1940 194 4334

1990

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

333 178 36 5 84 77 99 22 11 697

6298 4836 231 102 1074 149 3086 2938 302 5731

1991

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0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

425 242 36 5 98 68 93 26 11 706

6871 4997 371 90 947 222 4034 3812 414 7568

1992

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

506 285 48 7 121 73 89 16 9 724

7741 5634 443 92 1177 355 4758 4402 445 8102

1993

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0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

828 378 57 104 231 186 80 -106 8 966

10091 6874 678 191 2050 539 4040 3501 433 8296

1994

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1629 608 83 401 611 433 155 -279 8 1530

14604 9150 1392 1198 3925 1149 4658 3509 394 11314

1995

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

2953 1130 129 844 1092 556 156 -400 7 2775

20898 12112 1454 3234 6069 1509 6054 4546 482 17589

1996

4537 2721 0 -474 966 346 6045 5699 411 1449 9910

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

3654 1835 192 594 1055 287 480 193 9 3752

18804 14123 1512 194 1978 1141 9276 8135 480 19680

1997

6201 3959 21 -599 1192 611 13775 13165 651 -1662 14768

2885 1623 457 -95 615 340 1139 799 22 3205 4402

3516 2078 209 332 990 988 889 -99 31 4851

13048 8975 896 87 1967 966 9171 8205 536 24251

1998

6288 4739 29 -129 338 578 8966 8388 941 1096 11742

3175 2149 637 -775 -232 906 1253 347 94 3078 4471

3012 2125 272 -234 242 649 865 215 65 4688

16629 11571 1378 259 4426 983 8461 7477 924 14852

1999

8035 6584 68 167 1607 811 10379 9568 1055 9204 20911

4208 2421 733 60 613 878 996 118 22 3861 6088

3764 2107 322 -69 827 1614 1639 26 132 6965

22802 15419 1390 2768 6179 1026 5016 3990 630 20774

2000

9489 4648 254 -2280 2788 280 10545 10265 1222 7097 18217

7757 3492 1092 1199 2077 1074 284 -791 0 6368 9254

7336 2963 428 1548 2629 2466 982 -1485 111 9632

27216 17459 1603 4775 7506 1534 3224 1690 273 23788

2001

4097 3011 264 -3844 -69 452 4910 4458 846 7892 11165

6371 4245 1336 -663 287 955 414 -541 1 8093 10483

3936 1984 490 -521 1578 1678 531 -1147 27 8363

24418 18486 1824 2222 4744 2129 2040 -89 155 21629

2002

3739 2015 338 -1560 933 255 3414 3159 434 24813 8891

4966 3085 1011 -974 73 1847 1745 -102 24 7735 9662

2589 1146 561 -907 698 986 454 -532 27 7431

33167 21910 2451 5875 9325 4734 1355 -3379 84 27437

2003

4030 2272 296 -1770 1171 529 3231 2702 253 4267 7218

4884 2522 864 -345 757 2185 1978 -207 41 6539 8018

3091 1895 656 -1280 447 922 1086 164 40 7075

36385 24644 2947 4975 8222 6667 968 -5699 80 32892

* Sólo la empresa matriz.

Nota: Hyundai Semiconductor salió a cotizar en Bolsa en diciembre de 1996. Esta empresa adquirió LG Semiconductor en 1999 y cambió su nombre por el de Hynix. Micron fue constituida en 1978. Infineon se fundó en abril de 1999, cuando la división de semiconductores de su compañía matriz Siemens AG se escindió para constituir una entidad legal independiente. En marzo de 2000, esta empresa salió a cotizar en Bolsa y sigue cotizando en las Bolsas de Valores de Frankfurt y Nueva York. Para los años 1985 a 1998 se han utilizado los datos de Siemens AG.

Fuente: Thomson Datastream

49 43 3 -34 -13 5 44 39 0 132

76 46 7 0 18 1 36 34 2 133

1986

2271 1954 14 37 116 45 467 422 51 991

1903 1652 11 24 75 49 435 386 48 748

1985

Resultados financieros (en millones de dólares estadounidenses)

Samsung* Ingresos netos Coste de los productos vendidos I+D Resultado neto Flujo de efectivo de explotación Caja y equivalentes (a) Deuda a largo y corto plazo (b) Deuda neta (b – a) Gastos financieros / Deuda Activo total Micron Ingresos netos Coste de los productos vendidos I+D Resultado neto Flujo de efectivo de explotación Caja y equivalentes (a) Deuda a largo y corto plazo (b) Deuda neta (b – a) Gastos financieros / Deuda Activo total Infineon Ingresos netos Coste de los productos vendidos I+D Resultado neto Flujo de efectivo de explotación Caja y equivalentes (a) Deuda a largo y corto plazo (b) Deuda neta (b – a) Gastos financieros / Deuda Recursos propios totales Activo total Hynix Ingresos netos Coste de los productos vendidos I+D Resultado neto Flujo de efectivo de explotación Caja y equivalentes (a) Deuda a largo y corto plazo (b) Deuda neta (b – a) Gastos financieros / Deuda Recursos propios totales Activo total

Anexo 1:

707-S09 -1 5 -

707-S09

Anexo 2:

Samsung Electronics

Organigrama de la empresa en el año 2005

Presidente Kun Hee Lee

Vicepresidente y Consejero Delegado Jong Yong Yun

Director General de Tecnología

Director General de Finanzas

Yoon Woo Lee

Doh Seck Choi

Unidad de Semiconductores -Memoria -Sistema LSI -Unidad de disco duro -Almacenamiento óptico

__________________ Presidente Chang Gyu Hwang

Unidad de Medios Digitales -Televisores -Aparatos audiovisuales -Monitores -Reproductores de DVD __________________ Presidente Gee Sung Choi

Unidad de Telecomunicaciones -Teléfonos móviles -Asistentes personales digitales -Equipos para redes __________________ Presidente Ki Tae Lee

Unidad de Pantallas LCD -Pantallas de cristal líquido para ordenadores portátiles y televisores de alta definición __________________ Presidente Sang Wan Lee

Unidad de Electrodomésticos Digitales -Frigoríficos -Aparatos de aire acondicionado -Lavadoras __________________ Presidente Hyun Bong Lee

Fuente: Datos de la compañía

16

16,95

57%

Margen operativo

34,75

-7%

Coste operativo ($)

Margen operativo

18,11

32%

Coste operativo ($)

Margen operativo

23%

Margen operativo

Fuente: Merrill Lynch.

competidores)

menos la media de los

Margen operativo (Samsung

de sus competidores

venta de Samsung sobre el

Exceso del precio medio de

precio medio de venta

Variación trimestral del

Precio medio de venta ($)

41%

33%

36

22,21

Coste operativo ($)

Mundial

28,72


Hynix

26,62


Infineon

32,49


Micron

39,08

Coste operativo ($)

1T 00


Samsung

45%

42%

-6%

33,8

17%

24,68

29,83

37%

16,69

26,50

4%

24,00

25,13

65%

13,64

38,44

2T 00

22%

32%

8%

36,5

37%

23,94

37,76

65%

10,88

30,93

34%

20,31

30,83

67%

14,41

43,79

3T 00

36%

60%

-37%

22,9

17%

17,40

20,95

12%

14,14

16,01

23%

19,65

25,65

53%

15,70

33,42

4T 00

57%

75%

-37%

14,30

5%

11,82

12,42

-27%

13,46

10,58

-26%

15,81

12,59

41%

12,36

20,82

1T 01

70%

68%

-37%

9,02

-19%

8,73

7,35

-73%

13,76

7,98

-92%

15,96

8,30

9%

12,02

13,24

2T 01

86%

23%

-47%

4,80

-142%

9,33

3,86

-186%

12,00

4,20

-219%

12,01

3,76

-96%

9,53

4,86

3T 01

101%

41%

-27%

3,49

-152%

9,38

3,73

-151%

11,00

4,38

-134%

6,67

2,85

-45%

7,46

5,16

4T 01

54%

24%

146%

8,58

29%

6,08

8,56

-10%

9,80

8,90

-65%

8,28

5,01

39%

5,72

9,31

1T 02

57%

11%

-14%

7,36

-45%

9,15

6,30

-14%

8,20

7,20

-20%

8,98

7,48

31%

5,33

7,75

2T 02

77%

33%

-16%

6,21

-59%

7,47

4,71

-36%

7,50

5,50

-52%

7,97

5,25

28%

4,92

6,86

3T 02

68%

44%

-1%

6,14

-33%

6,56

4,92

-35%

7,96

5,90

-45%

7,25

4,99

30%

5,33

7,58

4T 02

Anexo 3: Precio medio de venta de las memorias DRAM, coste operativo y margen operativo (equivalente a 256 Mbit)

53%

19%

-17%

5,12

-35%

6,16

4,57

-15%

5,62

4,89

-56%

7,96

5,10

17%

4,77

5,76

1T 03

42%

17%

-10%

4,62

-24%

5,61

4,50

-9%

5,10

4,69

-53%

6,65

4,33

13%

4,60

5,27

2T 03

30%

10%

19%

5,47

12%

4,82

5,46

13%

4,69

5,41

-22%

6,06

4,97

31%

4,00

5,79

3T 03

27%

11%

-2%

5,37

18%

4,37

5,36

10%

4,69

5,21

-5%

5,57

5,32

35%

3,82

5,90

4T 03

28%

26%

-6%

5,06

25%

3,89

5,16

4%

4,75

4,95

-5%

4,75

4,51

36%

3,92

6,15

1T 04

707-S09

53%

34%

-5%

12,63

6%

10,68

11,42

6%

9,90

10,58

-13%

12,51

11,09

44%

8,50

15,25

Media

-1 7 -

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 4: Volumen de fabricación de memorias DRAM por densidad en 2003

Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit) Samsung

Micron -

Infineon

-

-

-

Hynix -

SMIC

4 Mbit

-

-

-

-

16 Mbit

1,3

0,1%

1,0

0,2%

0,0

0,0%

10,0

1,9%

-

-

64 Mbit

16,4

1,8%

29,7

4,4%

0,0

0,0%

33,6

6,4%

-

-

128 Mbit

151,6

16,9%

88,1

13,1%

43,7

8,2%

96,8

18,6%

-

-

256 Mbit

695,8

77,6%

540,1

80,3%

479,5

89,6%

374,2

71,8%

68,2

100,0%

512 Mbit

30,4

3,4%

13,7

2,0%

11,5

2,1%

6,8

1,3%

-

-

1 Gbit

1,0

0,1%

0,1

0,0%

0,6

0,1%

0,0

0,0%

-

-

Total

896,4

100,0%

672,8

100,0%

535,3

100,0%

521,5

100,0%

68,2

100,0%

Fuente: “Estadísticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los años 2003 y 2005”, de Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene más de doce meses de antigüedad, Gartner lo considera como una perspectiva histórica.

Anexo 5: Volumen de fabricación de memorias DRAM en 2003 por líneas de producto (en millones, equivalente a 256 Mbit)

Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit) Samsung

Micron

Infineon

Hynix

Mundial

SDRAM

206,1

23,0%

191,8

28,5%

79,1

14,8%

117,5

22,5%

0,0

0,0%

DDR SDRAM

585,3

65,3%

475,6

70,7%

437,8

81,8%

401,4

77,0%

68,2

100,0%

DDR2 SDRAM

40,4

4,5%

0,0

0,0%

1,7

0,3%

0,0

0,0%

0,0

0,0%

RDRAM

37,9

4,2%

0,0

0,0%

2,4

0,4%

0,0

0,0%

0,0

0,0%

Otras DRAM

25,9

2,9%

5,4

0,8%

14,3

2,7%

1,3

0,2%

0,0

0,0%

Total

896,4

100%

672,8

100%

535,3

100%

521,5

100%

68,2

100%

Fuente: “Estadísticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los años 2003 y 2005”, de Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene más de doce meses de antigüedad, Gartner lo considera como una perspectiva histórica.

18

-

8 Gbit

-77,6%

7,08

0,22

-

-

-

-

150,00

6,73

2,99

1,88

1,88

1,34

1,06

2001

-4,5%

6,76

0,21

-

-

-

-

42,11

6,22

3,30

1,55

1,61

1,28

1,10

2002

-23,3%

5,19

0,16

-

-

-

83,57

21,70

4,68

2,75

1,88

1,19

0,97

-

2003

5,8%

5,49

0,17

-

-

-

40,76

12,76

4,88

3,48

2,13

0,90

0,79

-

2004

-33,3%

3,66

0,11

-

-

82,93

18,04

6,75

3,67

2,41

1,39

0,62

0,51

-

2005 (E)

-55,1%

1,65

0,05

-

-

21,29

7,29

3,12

1,64

1,28

0,74

0,50

0,40

-

2006 (E)

-13,7%

1,42

0,04

-

125,15

11,70

5,54

2,79

1,21

1,01

0,70

0,50

-

-

2007 (E)

-9,9%

1,28

0,04

-

47,00

9,68

4,81

2,53

1,10

0,90

0,62

-

-

-

2008 (E)

672,8

-34,1%

-1,68$

1,28

0,57

1,88

0,94

1,93

6,61%

4,93$

Micron

535,3

0,5%

0,02$

0,46

0,71

1,50

0,76

1,58

5,02%

5,05$

Infineon

521,5

-7,3%

-0,36$

0,83

0,58

1,48

0,51

1,93

5,33$

4,97$

Hynix

68,2

-9,3%

-0,41$

0,34

0,80

1,63

0,23

1,84

4,84$

4,43$

SMIC

-15%

-0,74$

0,87

0,62

1,64

0,74

1,83

5,70$

-0,22

-0,02

-0,29

-0,19

-0,65

-1,39$

0,72$

133,8%

103,3%

121,5%

137,0%

155,1%

132,2%

87,3%

Samsung 4,96$

sus competidores

Media ponderada de los competidores/

Samsung menos la media ponderada de

los competidores

-28,3%

0,42

0,01

93,18

7,50

3,08

1,55

1,25

0,68

-

-

-

-

-

2010 (E)

Media ponderada de

-54,4%

0,58

0,02

-

13,02

3,99

2,22

1,78

0,84

0,66

-

-

-

-

2009 (E)

b El volumen total de fabricación es la suma de los volúmenes de fabricación de memorias DRAM de todas las densidades (incluidas 16 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,

512 Mb y 1 Gb).

Beneficio operativo en millones de dólares (a x b) 1224,3$ -1129,5$ 12,9$ -188,1$ -28,1$ ª Explicación a la expresión anteriormente utilizada “equivalente a 256 Mbit”: cada empresa dentro del sector utiliza unas pautas de diseño y una tecnología de procesos para cada producto que presentan ligeras diferencias, además de fabricar combinaciones diferentes en cuanto a arquitectura y tamaño de las memorias. Por eso es muy difícil hacer comparaciones de igual a igual incluso para un mismo producto. Por ello los analistas del sector han establecido un criterio común para comparar la competitividad general de costes de una empresa. Las ventas totales y los costes de fabricación de cada empresa se ponderan según cada generación de memorias, asignándosele a la generación de memorias de 256 Mbit una ponderación de 1,00, a las generaciones por encima de 256 Mbit una ponderación por encima de 1,00 y proporcional a 256 Mbit, y a las generaciones por debajo de 256 Mbit una ponderación por debajo de 1,00 proporcional a 256 Mbit.

896,4

Volumen de fabricación equivalente a 256 Mbit (b)

0,65

Gastos generales, comerciales y administrativos 1,37$

0,60

I+D

24,1%

1,35

Amortización

Margen operativo

0,54

Beneficio operativo (a)

1,18

Materias primas

4,31$

Imputación total de costes

Mano de obra

5,68$

Samsung

Comparación del beneficio operativo de las memorias DRAM en 2003 (equivalente a 256 Mb)ª

Precio medio de venta

Anexo 7a:

Fuente: “Previsiones: estadísticas del mercado de memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (actualizado en el primer trimestre de 2005)”, Gartner, Inc.

-17,3%

-

4 Gbit

Crecimiento anual del precio medio de venta

-

2 Gbit

31,63

-

1 Gbit

Precio medio de venta por el equivalente a 256 Mbit

-

512 Mbit

0,99

48,59

256 Mbit

Precio medio de venta por megabyte

7,18 14,41

3,42

16 Mbit

128 Mbit

1,90

4 Mbit

64 Mbit

1,51

2000

Datos históricos y previsiones del precio medio de venta de las memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (en dólares estadounidenses)

1 Mbit

Anexo 6:

707-S09 --1 9 -

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 7b: Estructura de costes de las memorias DRAM de 64 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC

Media ponderada de los competidores


8,63 $

7,88$

-

8,10 $

-

8,00 $


2,99 $

4,19 $

-

3,98 $

-

4,07 $

Materias primas

0,99

0,98

-

1,67

-

1,35

Mano de obra

0,54

0,76

-

0,51

-

0,63

Amortización

0,35

0,42

-

0,43

-

0,42

I+D

0,15

0,13

-

0,17

-

0,15

Gastos generales, comerciales y

0,96

1,90

-

1,20

-

1,53

administrativos Beneficio operativo

5,64 $

3,69 $

-

4,13 $

-

3,92 $

Margen operativo

65,4%

46,9%

-

50,9%

-

49,0%

16,4

29,7

0,0

33,6

0,0

63,3

1,8%

4,4%

0,0%

6,4%

0,0%

3,5%

Volumen de fabricación (millones de unidades) Volumen de fabricación / Volumen total de fabricación

Anexo 7c: Estructura de costes de las memorias DRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit) Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC

Media ponderada de los competidoresª


6,45 $

5,56$

6,34 $

5,45 $

-

5,66 $


3,89 $

6,22 $

4,49 $

5,08 $

-

5,40 $

Materias primas

1,09

1,81

1,43

1,83

-

1,75

Mano de obra

0,54

0,94

0,75

0,51

-

0,72

Amortización

1,09

1,60

1,21

1,33

-

1,41

I+D

0,48

0,48

0,57

0,52

-

0,52


0,70

1,39

0,52

0,88

-

1,01 0,25 $


2,56 $

-0,66 $

1,85 $

0,37 $

-

Margen operativo

39,6%

-11,9%

29,2%

6,8%

-

3,9%

Volumen de producción

151,6

88,1

43,7

96,8

0,0

228,6

16,9%

13,1%

8,2%

18,6%

0,0%

12,7%

(millones de unidades) Volumen de fabricación / Volumen total de fabricación

ª Dentro del volumen de fabricación de memorias DRAM de 128 Mbit está incluido el volumen de fabricación de varias líneas de producto de memorias DRAM de 128 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 ó Rambus DRAM).

20

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 7d: Estructura de costes de las memorias DRAM de 256 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC



5,08 $

4,48$

4,73 $

4,58 $

4,43$

4,57 $


4,15 $

6,52 $

4,84 $

5,42 $

4,84$

5,61 $

Materias primas

1,19

1,98

1,57

2,01

1,84

1,84

Mano de obra

0,54

0,94

0,75

0,51

0,23

0,74

Amortización

1,27

1,86

1,41

1,56

1,63

1,63

I+D

0,56

0,56

0,67

0,61

0,80

0,62


0,59

1,18

0,44

0,74

0,34

0,79


0,94 $

-2,04 $

-0,11 $

-0,85 $

-0,41$

-1,04 $

Margen operativo

18,4%

-45,5%

-2,2%

-18,5%

-9,3%

-22,8%

Volumen de producción (millones

695,8

540,1

479,5

374,2

68,2

1462,1

77,6%

80,3%

89,6%

71,8%

100%

81,3%

de unidades) Volumen de fabricación / Volumen total de fabricación

ª Dentro del volumen de fabricación de memorias DRAM de 256 Mbit está incluido el volumen de fabricación de varias líneas de producto de memorias DRAM de 256 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 ó Rambus DRAM).

Anexo 7e: Mbit)

Estructura de costes de las memorias DRAM de 512 Mbit en 2003 (equivalente a 256

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC



14,21 $


10,52 $

12,11$ 17,58 $

13,60 $

11,99 $

-

12,62 $

13,26 $

13,81 $

-

15,22 $

Materias primas

1,29

3,17

2,47

2,97

-

2,87

Mano de obra

0,80

1,52

1,20

0,77

-

1,25 6,70

Amortización

4,89

7,78

5,82

6,00

-

I+D

2,16

2,36

2,74

2,34

-

2,49


1,38

2,75

1,02

1,73

-

1,91


3,69 $

-5,47 $

0,34 $

-1,82 $

-

-2,60 $

Margen operativo

26,0%

-45,1%

2,5%

-15,2%

-

-21,6%

30,4

13,7

11,5

6,8

0,0

32,0

3,4%

2,0%

2,1%

1,3%

0,0%

1,8%

Volumen de producción (millones de unidades) Volumen de fabricación / Volumen total de fabricación

21

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 7f: Estructura de costes de las memorias SDRAM de 256 Mbit en 2003.

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC

Media ponderada de


4,95 $

4,56$

5,00 $

4,58 $

-

4,67 $


4,16 $

6,62 $

4,97 $

5,54 $

-

5,95 $

los competidoresª

Materias primas

1,20

2,01

1,61

2,05

-

1,92

Mano de obra

0,54

0,95

0,77

0,52

-

0,80

Amortización

1,28

1,89

1,45

1,59

-

1,71

I+D

0,57

0,57

0,68

0,62

-

0,61

Gastos generales, comerciales

0,58

1,21

0,46

0,74

-

0,91

y administrativos Beneficio operativo

0,79 $

-2,06 $

0,03 $

-0,95 $

-

-1,28 $

Margen operativo

15,9%

-45,2%

0,5%

-20,8%

-

-28,0%

Volumen de producción

160,0

162,0

76,7

84,2

0,0

323,0

17,9%

24,1%

14,3%

16,1%

0,0%

18,0%

(millones de unidades) Volumen de fabricación / Volumen total de fabricación

Anexo 7g:

Estructura de costes de las memorias DDR SDRAM de 256 Mbit en 2003.

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC



4,72$

4,45$

4,65$

4,57$

4,43$

4,55$


4,06$

6,48$

4,81$

5,39$

4,84$

5,51$

Materias primas

1,18

1,97

1,56

1,99

1,84

1,82

Mano de obra

0,53

0,93

0,75

0,51

0,23

0,72

Amortización

1,25

1,85

1,41

1,55

1,63

1,60

I+D

0,55

0,56

0,66

0,60

0,80

0,62


0,55

1,17

0,43

0,74

0,34

0,75


0,66$

-2,03$

-0,16$

-0,82$

-0,41$

-0,96$

Margen operativo

13,9%

-45,6%

-3,4%

-18,0%

-9,3%

-21,2%

290,0

68,2

1136,0

485,0

378,1

399,7

54,1%

56,2%

74,7%

55,6%

100,0%

63,2%


22

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 7h: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 256 Mbit en 2003. Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC

Media ponderada de los


8,83$

-

8,67 $

-

-

8,67 $


4,93$

-

5,72 $

-

-

5,72 $

Materias primas

1,31

-

1,75

-

-

1,75

Mano de obra

0,59

-

0,84

-

-

0,84

competidoresª

Amortización

1,39

-

1,58

-

-

1,58

I+D

0,62

-

0,74

-

-

0,74


1,03

-

0,80

-

-

0,80

Beneficio operativo

3,90 $

-

2,95 $

-

-

Margen operativo

44,1%

-

34,0%

25,7

0,0

1,2

0,0

0,0

1,2

2,9%

0,0%

0,2%

0,0%

0,0%

0,1%

y administrativos 2,95$ 34,0%


Anexo 7i:

Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 256 Mbit en 2003. Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC



9,21 $

-

8,45 $

-

-

8,45 $


4,89 $

-

5,59 $

-

-

5,59 $

Materias primas

1,28

-

1,71

-

-

1,71

Mano de obra

0,57

-

0,82

-

-

0,82

competidoresª

Amortización

1,36

-

1,55

-

-

1,55

I+D

0,60

-

0,73

-

-

0,73


1,07

-

0,78

-

-

0,78


4,32 $

-

2,86 $

-

-

2,86 $

Margen operativo

46,9%

-

33,8%

-

-

33,8%

25,0

0,0

1,7

0,0

0,0

1,7

2,8%

0,0%

0,3%

0,0%

0,0%

0,3%


23

707-S09

Samsung Electronics

Anexo 7j: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit). Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC



11,30$

-

9,74 $

-

-

9,74 $


4,49$

-

5,27 $

-

-

5,27 $

competidoresª

Materias primas

1,13

-

1,58

-

-

1,58

Mano de obra

0,55

-

0,83

-

-

0,83

Amortización

1,12

-

1,34

-

-

1,34

I+D

0,50

-

0,63

-

-

0,63


1,19

-

0,89

-

-

0,89

-

-


6,81$

-

4,47 $

Margen operativo

60,3%

-

45,9%

4,47$

7,1

0,0

0,4

0,0

0,0

0,4

0,79%

0,0%

0,08%

0,0%

0,0%

0,08%

45,9%


Anexo 7k: Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit).

Samsung

Micron

Infineon

Hynix

SMIC


11,06 $

-

9,64 $

-

-

9,64 $

4,65$

-

5,26 $

-

-

5,26 $

competidoresª Precio medio de venta Imputación total de costes Materias primas

1,19

-

1,58

-

-

1,58

Mano de obra

0,58

-

0,83

-

-

0,83

Amortización

1,18

-

1,34

-

-

1,34

I+D

0,52

-

0,63

-

-

0,63


1,17

-

0,88

-

-

0,88

y administrativos Beneficio operativo Margen operativo

6,41$

-

4,38 $

-

-

4,38 $

58,0%

-

45,5%

-

-

45,5%

5,5

0,0

0,5

0,0

0,0

0,5

0,61%

0,0%

0,10%

0,0%

0,0%

0,10%


Fuente: Estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico a partir del informe de Merrill

24

Lynch.

707-S09

Anexo 8:

Samsung Electronics

Composición de la línea de fabricación de Samsung (línea A)

DRAM Gráfica SRAM Flash MROM

1998 78% 19% 3% 0% 0%

1999 45% 13% 41% 2% 0%

2000 28% 3% 52% 15% 2%

2001 40% 2% 46% 8% 5%

2002 27% 0% 44% 24% 5%

Total

100%

100%

100%

100%

100%

Fuente: Datos de la compañía.

Anexo 9: Estructura de costes de la memoria NAND Flash (equivalente a 512 Mbit, primer trimestre de 2004)

Precio medio de venta (en dólares) Imputación total de costes Materias primas Mano de obra Suministros públicos Gastos generales, comerciales y administrativos Amortización I+D Otros Beneficio operativo

Toshiba (a)

Samsung (b)

(a) / (b)

Toshiba

Samsung

9,51

9,48

100,3%

4,55 1,15 0,74 0,13 0,28

3,28 0,79 0,45 0,10 0,24

138,5% 144,8% 165,3% 138,5% 119,3%

100,0% 25,2% 16,3% 2,9% 6,2%

100,0% 24,1% 13,6% 2,9% 7,2%

1,10 0,51 0,63 4,97

1,19 0,30 0,22 6,20

92,8% 170,9% 281,4% 80,1%

24,2% 11,3% 13,9%

36,1% 9,1% 6,9%

Fuente: Merrill Lynch

25

707-S09

Anexo 10a: centímetros

Samsung Electronics

Cuadro comparativo entre la oblea de veinte centímetros y la oblea de treinta

Número de dados por obleaª Índice esperado de rentabilidad Dados no defectuosos por oblea Coste de fabricación por oblea Amortización por oblea Coste de material por oblea Coste por microprocesador

Oblea de 20 cm.

Oblea de 30 cm.

Oblea de 30 cm. / oblea de 20 cm.

257 87% 224 n.d. n.d. n.d

616 87% 536 n.d. n.d. n.d.

240% 100% 240% 210% 200% 270% 90%

Fuente: Datos de la compañía y estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico. ª El número de dados por oblea está calculado para la tecnología de 0,13 µm.

Anexo 10b:

Tecnología de procesos, tamaño de las obleas y producción neta de dados

Tamaño del microprocesador Número de dados netos obtenidos de una oblea de 20 cm. Número de dados netos obtenidos de una oblea de 30 cm.

0,25 µm

0,18 µm

0,15 µm

0,13 µm

0,11 µm

208,9 mm²

159,4 mm²

120,9 mm²

91,3 mm²

68,6 mm²

100

137

188

257

352

240

329

451

616

845

Fuente: Cálculos realizados por los autores de este caso práctico.

Anexo 10c: Cuadro comparativo de la fabricación en función del tamaño de la oblea, las normas de diseño y el índice de rentabilidad.

Samsung Micron Infineon Hynix

Volumen de fabricación por tamaño de oblea Oblea de Oblea de Total 20 cm. 30 cm. 88% 12% 100% 97% 3% 100% 67% 33% 100% 100% 0% 100%

Tecnología de procesos Norma de diseño principal (um) 0,11 0,13 0,14 0,13

% de utilización 67% 80% 80% 72%

Índice de rentabilidadª

80% 60% 67% 50%

Fuente: Cálculos realizados por los autores de este caso práctico a partir del informe de Gartner, Inc. de febrero de 2004. ª La tasa de rentabilidad se basa en una tecnología de 0,11 µm para 256 Mbit.

26

707-S09

Anexo 11:

Samsung Electronics

Estructura de la capacidad china de fabricación de microprocesadores en 2001

Fuente: Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semicondutor Industry: What Are the Implications for Singapore?, publicado en Thunderbird International Business Review 46 (2004): pág. 109-131.

27

707-S09

Samsung Electronics

Notas incluidas en el texto

1

La información sobre el despacho del presidente Lee proviene de Lee Kun Hee,s 10 year Reform, de Kim Sung-Hong y Woo In-Ho, (Seúl: Kimyoungsa, 2003).

2

Samsung,s Second New Management Vision, Monthly Chosun, julio de 2003.

3

Oliver Wojahn: Semiconductors: A Silver Lining on the Horizon, Berenberg Bank, 27 de agosto de 2001, pág. 5. 4

Estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico.

5

Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pág. 7.

6

Samsung Electronics; To Be Better than the Best, informe elaborado por J. J. Park y Seung-Hoon Lee, J.P., Morgan Securities (Far East) Ltd., febrero de 2004, pág. 13. 7

Korean Chipmaker Hynix Semiconductor Admits Price Fixing, publicado por Associated Press, 25 de abril de 2005. 8

La información que se ofrece en esta sección proviene de Foundries in China Gearing Up for Rapid Expansion, de James Hines y Kay-Yang Tan, Gartner Dataquest Research Brief, 27 de enero de 2004.

9

Kay-Yang Tang: Market Focus; China,s Foundry Industry Gaining Strength, Gartner Dataquest Focus Report, 22 de julio de 2004; pág. 3.

10

Ibídem. 11

Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the Implications for Singapore?, Thunderbird International Business Review 46 (2004): pág. 109-131. 12

Samsung, Semiconductor Stories Series #42: 15 de junio de 2004, Samsung Electronics (Corea); página web: http://www.sec.co.kr/index.jsp

13

Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, publicado por el periódico Korea Economic Daily, 2002, pág. 35.

14

Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pág. 67.

15

Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pág. 21.

16

Korean Semiconductor Industry, pág. 19.

17

Samsung, Semiconductor Stories Series #43: 20 de julio de 2004, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp

18

Just Being a Good Company is Not Enough, Maeil Business Newspaper, 2 de junio de 2005, A13., http://www.mk.co.kr/

28

707-S09

19 20

Samsung Electronics

Korean Semiconductor Industry, pág. 20. Ibídem.

21

Linsu Kim: The Dynamics of Samsung,s Technological Learning in Semiconductors, California Management Review 39: 3 (1997): pág. 86-100.

22

Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pág. 74.

23

Samsung, Semiconductor Stories Series #7: 2 de junio de 2003, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp

24

Korean Semiconductor Industry, pág. 29.

25

Samsung, Semiconductor Stories Series #3: 5 de mayo de 2003, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp

26

Richard Gordon y Andrew Norwood: Worldwide Memory Forecast, 1Q04 Update, informe Gartner Dataquest, febrero de 2004.

27 28 29

Korean Semiconductor Industry, pág. 42. Ibídem, pág. 50. Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pág. 69.

30

Kun Hee Lee: Samsung,s New Management (Seúl: Office of the Executive Staff of the Samsung Group, Second Revised Edition, 1997), pág. 69.

31

Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pág. 182.

32

Business Week, 16 de junio de 2003, pág. 64. Samsung Electronics esclareció las palabras utilizadas en la segunda frase de la cita mediante un correo electrónico enviado a los autores de este caso práctico el 22 de junio de 2005.

33

Kun Hee Lee: Samsung,s New Management, pág. 57.

34

Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the Implications for Singapore?

35

Ibídem.

36

Dorothy Lai: 2004: A Turning Point for China,s Semiconductor Industry, Nikkei Electronics Asia, diciembre de 2003, página web http://neasia.nikkeibp.com/nea/200312/srep_278997.html

29

Samsung

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